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余家新

作品数：3 被引量：11H指数：1
供职机构：北京交通大学理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇正方晶格
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇磷化铟
  • 1篇蒙特卡罗模拟
  • 1篇介质柱
  • 1篇禁带
  • 1篇晶体
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光电
  • 1篇光电转换
  • 1篇光子
  • 1篇光子带隙
  • 1篇光子晶体
  • 1篇光子晶体禁带
  • 1篇二维光子
  • 1篇二维光子晶体
  • 1篇二维正方晶格
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇北京交通大学

作者

  • 2篇余家新
  • 1篇庞许倩
  • 1篇赵明明
  • 1篇吕燕伍

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
旋转对二维正方晶格介质柱内空结构光子晶体禁带的影响被引量：10
2008年
采用平面波展开的方法计算了三种旋转操作下二维正方晶格各向异性材料(Te)介质柱内空结构光子晶体TE,TM模式能带.讨论了三种旋转操作对TE,TM模式带隙及完全光子禁带的影响.发现TM模式高频带隙与结构的旋转对称性有着密切的关系.而TE模式的带隙不仅受到晶体旋转对称性的影响同时也受到介质在x-y平面分布情况的影响.
赵明明吕燕伍余家新庞许倩
关键词：二维光子晶体光子带隙
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体输运性质的蒙特卡罗模拟
以GaAs，InP为主Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有很宽的带隙，大都为直接跃迁型能带，光电转换效率较高，以及具有很高的饱和电子漂移速度和迁移率。因此Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在微电子学和光电子学方面得到日益重要和广泛的应用，对其...
余家新
关键词：蒙特卡罗模拟化合物半导体输运性质磷化铟光电转换
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