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余亮

作品数:8 被引量:14H指数:3
供职机构:合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 4篇光学
  • 3篇电能
  • 3篇电能传输
  • 3篇无线电能传输
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇光学特性
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结器件
  • 2篇结构和光学特...
  • 1篇导体
  • 1篇低频
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子器件
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇中继
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射

机构

  • 8篇合肥工业大学

作者

  • 8篇余亮
  • 7篇梁齐
  • 4篇董燕
  • 4篇李琳
  • 3篇刘磊
  • 2篇马明杰
  • 1篇郭慧尔
  • 1篇文亚南
  • 1篇汪壮兵
  • 1篇陈士荣

传媒

  • 2篇电子技术应用
  • 2篇发光学报
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征被引量:3
2016年
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件(脉冲激光能量:90和140 rnJ;退火温度:100~400℃)下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明:脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比(Sn:S=1:1.03)、光吸收系数为10~5 cm^(-1)量级。
马明杰刘磊李学留陈士荣郭慧尔余亮梁齐
关键词:脉冲激光沉积快速退火光学特性
SnS薄膜掺杂及其器件研究
SnS是一种新型光伏材料,具有适合作为太阳电池和光电器件光吸收层的多种物理化学性质,具有良好的应用前景,SnS薄膜及其器件制备与性质的研究受到很大关注。本文对不同厚度SnS薄膜、Cu掺杂SnS薄膜及其异质结器件的制备和性...
余亮
关键词:电学特性金属铜异质结器件
膜厚对射频磁控溅射法制备的SnS薄膜结构和光学性质的影响被引量:4
2015年
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 e V,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 e V)。
余亮梁齐刘磊马明杰史成武
关键词:射频磁控溅射膜厚光学性质
品质因数与共振频率对无线电能传输的影响被引量:2
2015年
谐振耦合式无线电能传输技术是一种新兴电能传输方式,提高传输功率和效率已成为其应用发展的瓶颈问题。通过仿真与实验探究了提高频率和改善线圈参数两种不同提高系统品质因数的方法对能量传输效率、功率与传输距离之间的影响规律。结果表明,提高系统共振频率可明显提高系统能量有效传输距离,但导致最高输出功率明显下降,而对传输效率影响不明显;改善线圈参数可显著提高最高输出功率,而对输出效率和有效传输距离影响不明显。系统频率响应仿真与实验结果显示,小幅偏离共振频率点引起输出功率急剧下降。系统共振频率随接收端与发射端间耦合系数增加出现分裂现象,造成能量传输功率下降。
董燕余亮李琳梁齐
关键词:品质因数频率响应
NiO薄膜的脉冲激光沉积及其结构和光学特性研究
2013年
利用脉冲激光沉积法在ITO玻璃衬底上制备了NiO薄膜,利用XRD、AFM对样品的晶体结构和表面形貌进行了表征,并对其透射光谱进行了测试,研究了衬底温度及脉冲激光能量对所制NiO薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。结果表明:在脉冲激光能量为180 mJ、衬底温度为600~700℃条件下所制备的样品为沿(111)晶面择优取向生长的多晶NiO薄膜,薄膜结晶质量良好,表面颗粒排列均匀,可见光透射率较高,禁带宽度为3.40~3.47 eV。
李琳董燕余亮文亚南梁齐
关键词:NIO多晶薄膜宽禁带半导体脉冲激光沉积透射率
低频小尺寸高效无线电能传输系统研究被引量:1
2014年
探索了在较低频率下多接端、加中继和隔磁材料3种耦合结构下提高谐振耦合系统电能传输效率的可行性。实验表明这些方法均可有效提高系统整体传输效率,最后应用上述方法构建综合系统,综合系统的效率可以达到85.4%。
董燕余亮李琳梁齐
PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性被引量:5
2015年
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响。结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS∶5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰。随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大。不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1数量级。SnS∶5%Cu薄膜的禁带宽度Eg为2.23eV,光暗电导率比值为2.59。同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS∶Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性。
刘磊余亮李学留汪壮兵梁齐
关键词:脉冲激光沉积CU掺杂异质结器件
谐振耦合式无线电能传输在微型传感器上的应用
2014年
简要介绍无线电能传输的发展、模式分类等,着重介绍了谐振耦合无线电能传输模式的工作原理,分析了此种模式在解决微型传感器能量供应方面的局限和优势,最后提出了无线电能传输应用于微型传感器的待解决问题。
董燕余亮李琳梁齐
关键词:无线电能传输
共1页<1>
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