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付丽伟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学

主题

  • 3篇铁电
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸铋
  • 2篇电光
  • 2篇电光器件
  • 2篇电光性能
  • 2篇电性能
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电性
  • 2篇铁电性能
  • 2篇光器件
  • 2篇薄膜生长
  • 1篇生长温度
  • 1篇铁电体
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇晶相
  • 1篇BI
  • 1篇MOCVD

机构

  • 4篇山东大学
  • 1篇山东省科学院

作者

  • 4篇付丽伟
  • 4篇尚淑霞
  • 4篇王弘
  • 2篇王民
  • 2篇徐平茂
  • 2篇王晓林
  • 2篇余立
  • 1篇鲁智宽
  • 1篇蒋民华
  • 1篇王晓临
  • 1篇田亮光

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 2篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
钛酸铋铁电薄膜的制备方法
一种钛酸铋铁电薄膜的制备方法，采用常压有机化学汽相沉积工艺将钛源和铋源加热挥发，用氮气为载气携带挥发钛源和铋源通入生长室时，同时氮气和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，在常压加热情况下，在衬底上制得薄膜，该方法工艺简单...
王弘王民付丽伟余立尚淑霞王晓林
文献传递
生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响
1993年
本文研究了生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响,在适当的组分下,550℃低温生长了α轴取向的 Bi_4Ti_3O_(12)单晶体薄膜。高温退火(700～800℃)有利于多晶无取向或 c 轴取向的 Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的形成。
付丽伟王弘尚淑霞田亮光徐平茂
关键词：退火晶相钛酸铋
钛酸铋铁电薄膜的制备方法
一种钛酸铋铁电薄膜的制备方法，采用常压有机化学气相沉积工艺将钛源和铋源加热挥发，用氮气为载气携带挥发钛源和铋源通入生长室时，同时氮气和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，在常压加热情况下，在衬底上制得薄膜，该方法工艺简单...
王弘王民付丽伟余立尚淑霞王晓林
文献传递
常压MOCVD制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜
1993年
本文首次报道常压 MOCVD 制备 Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜。在较低的衬底温度(～550℃)下一次成膜,薄膜均匀、致密、结晶性好,且具有较好的取向性。
付丽伟王弘尚淑霞王晓临于淑琴鲁智宽徐平茂蒋民华
关键词：铁电体
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共1页<1>
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