严敏逸
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 激光晶化制备纳米硅量子点／二氧化硅多层结构及其高效电致发光
- 硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一，因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点，迄今仍没有一个确定的解决方案[1]。为了克服体硅材料量子效率低下的问题，人们提出了利用纳米硅量子点来提高电子空穴的复合几率来实现...
- 徐伟李伟孙红程徐骏沐维维孙胜华李建严敏逸陈坤基
- 关键词：激光晶化二氧化硅多层结构电致发光
- 局域表面等离激元增强光发射中银岛膜的制备和光学特性研究
- 基于LED的固态光源因其工作电压低、寿命长、体积小等优点而备受青睐，但在可见光波段较低的光发射效率限制了它的进一步发展。为了研究金属岛膜吸收峰位的变化情况，本文在不同条件下制备了生长厚度为10nm、20nm和30nm的银...
- 严敏逸徐岭马忠元王旦清孙红程方忠慧李伟陈坤基黄信凡徐骏
- 关键词：固态光源银岛膜表面形貌光学性质
- 文献传递
- 局域表面等离激元增强A-SiNx:O薄膜的发光及激光干涉晶化中光场调制的研究
- 目前硅基光源仍是实现单片硅基光电集成的主要瓶颈，亟需进一步提高其光发射效率，而通过局域表面等离激元(Localized Surface Plasmon，LSP)和图形化结构来分别提高硅基发光器件的内量子效率和光萃取效率有...
- 严敏逸
- 关键词：发光器件
- 文献传递
- 二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用被引量：1
- 2010年
- 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.
- 严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭
- 关键词：纳米硅菲涅耳衍射
- 纳米硅量子点/氮化硅三明治结构的电致发光被引量：2
- 2012年
- 采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构,研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析,发现在激光能量为320mJ时,样品开始晶化,随着能量的提高晶化程度增加,在340mJ时达到最大。根据拉曼晶化峰的偏移,计算得出硅量子点尺寸为2.8nm和4.7nm,表明三明治结构对形成的硅量子点的尺寸具有限制作用。设计并制备了基于该结构的电致发光器件,在偏压大于10V时,在室温下可观测到电致发光。发现不同激光能量下晶化后的样品的电致发光强度不同,发光峰位在680nm和720nm附近。分析表明电致发光来源可以归结为电子空穴对在硅量子点中的辐射复合发光。
- 徐伟严敏逸许杰徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：光电子学硅量子点激光晶化电致发光
