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丛忠超

作品数：6 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇随机存储器
  • 3篇静态随机存储...
  • 3篇辐照
  • 3篇存储器
  • 2篇信号
  • 2篇总剂量
  • 1篇电离辐射
  • 1篇电离辐射损伤
  • 1篇读操作
  • 1篇信号完整性
  • 1篇三极管
  • 1篇数据保存
  • 1篇屏蔽室
  • 1篇热力学
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇总剂量辐射效...
  • 1篇晶体管
  • 1篇空间辐射环境
  • 1篇剂量率
  • 1篇剂量率效应

机构

  • 5篇中国科学院大...
  • 4篇中国科学院
  • 4篇中国科学院新...
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 6篇郭旗
  • 6篇丛忠超
  • 4篇郑齐文
  • 4篇汪波
  • 4篇孙静
  • 4篇余学峰
  • 4篇崔江维
  • 3篇玛丽娅
  • 3篇周航
  • 3篇马武英
  • 1篇文林
  • 1篇陆妩
  • 1篇吴雪
  • 1篇刘昌举
  • 1篇任迪远
  • 1篇李豫东
  • 1篇王信
  • 1篇何承发
  • 1篇王海娇

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响被引量：5
2014年
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。
丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静周航
关键词：总剂量辐射效应MOS晶体管三极管
一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统
本发明涉及一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，该系统是由辐照电路模块、激励输出模块、数据处理模块、错误显示模块、写读控制模块、下载配置模块、精准电源和铅屏蔽室组成，本发明采用闪存作为数据载体，以现场可编程门阵列作为控制...
余学峰丛忠超郭旗崔江维郑齐文孙静周航汪波
文献传递
静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法被引量：2
2014年
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在线测试只能覆盖存储单元固定错误的一种失效模式,离线测试可覆盖多种功能失效模式;由于信号完整性对测试频率的限制,使得在线测试得到的动态功耗电流值要明显小于离线测试得到的动态功耗电流值;由于"印记效应"的存在,在线测试静态功耗电流小于离线测试中器件存储与辐照相反数据时的静态功耗电流值;在线无法测量的一些电参数,有可能先于在线可测参数而失效,这些研究结果对于静态随机存储器在星用辐射环境下的总剂量辐射损伤规律的研究和实验评估具有重要意义。
丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静汪波马武英玛丽娅周航
关键词：静态随机存储器
双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析被引量：3
2014年
为了对双极电压比较器在电离辐射环境下的损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件,在不同偏置条件下进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明:电压比较器的电源电流、偏置电流及失调电压等多个关键参数都有不同程度的蜕变;偏置条件对于电压比较器的辐射响应有很大影响;此外,不同公司生产的同种型号电路表现出不同的剂量率效应;通过对测试结果分析,系统地讨论了各参数变化的原因,并结合电离损伤退火特性,探讨了各剂量率效应形成的机理.研究结果对工程应用考核提供了参考,而且为设计抗辐射加固器件提供了依据.
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关键词：剂量率效应
总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究被引量：1
2013年
本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式.研究表明:器件的功能失效模式为数据保存错误(Data retention fault)且数据保存时间具有离散性,引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元.通过对存储单元建立简化的等效电路图,分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因,并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响.
郑齐文余学峰崔江维郭旗任迪远丛忠超
关键词：静态随机存储器
^(60)Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究被引量：7
2014年
对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化的物理机理.实验发现,随着辐照剂量的增加,暗信号和暗信号非均匀性显著退化,并且静态偏置条件下器件的辐射损伤最大.暗信号退化的主要原因是光电二极管pn结和复位晶体管源端N+/Psub结表面边界周围的SiO2产生了大量的界面态;暗信号非均匀性显著退化是由于光电二极管的暗信号增大引起.上述工作可为深入研究CMOS有源像素传感器的抗辐射加固及其辐射损伤评估提供参考.
汪波李豫东郭旗刘昌举文林玛丽娅孙静王海娇丛忠超马武英
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