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丁晟
作品数:
51
被引量:5
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
上海市科学技术委员会资助项目
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相关领域:
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合作作者
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘波
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈小刚
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈后鹏
中国科学院上海微系统与信息技术...
封松林
中国科学院上海微系统与信息技术...
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具有冗余存储单元的相变随机存储器系统
本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括:主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元,当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时,副相变存储阵列以可选择...
丁晟
宋志棠
陈后鹏
文献传递
相变存储器的猝发写方法
本发明揭示了一种相变存储器的猝发写方法,所述方法包括如下步骤:并行写的每一位配备有一个独立的先入先出堆栈FIFO;相变存储器外部总线以设定的频率将写入数据输入到并行写每一位对应的FIFO中;并行写的每一位从对应的FIFO...
丁晟
宋志棠
一种相变存储器读出电路及其快速读出方法
2012年
针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。
李喜
宋志棠
陈后鹏
富聪
丁晟
关键词:
相变存储器
读出电路
灵敏放大器
利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法
本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法,该电路包括脉宽调制电流源电路,脉频调制电流源电路,振荡器电路,时序控制电路,采样反馈电路;所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比;所述脉频...
陈后鹏
王倩
宋志棠
蔡道林
富聪
丁晟
非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置
本发明公开一种非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置。该装置对接收天线和射频系统输出的初始信号进行下变频和低通滤波处理,然后通过旋转解差分操作来消除多普勒频移。在完成解差分处理后,将信号送入位同步环路完成比特位同步,...
姜泉江
陈晓挺
刘会杰
丁晟
朱孝武
池方玉
梁广
一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法,在进行当前编程操作的同时,预读下一位或多位待编程的地址位,将其数据与待编程数据相比较:如果待写入数据与存储器原始存入数据相同,则不进行编程操作;如果待写入数据与存储器原始...
宋志棠
丁晟
陈邦明
刘波
陈小刚
蔡道林
封松林
文献传递
相变存储器
本发明揭示了一种相变存储器,所述相变存储器包括数条存储翼plane;所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO,每个block对应一个FIFO;其中,n为相变存储器并行读写位数;plane与plan...
丁晟
宋志棠
文献传递
一种降低CMOS瞬态功耗的电路
本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路,包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路,所述PMOS晶体管的源极接入电源电平;在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间,接入一个隔离器件,使得该基...
丁晟
宋志棠
陈后鹏
文献传递
多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法
本发明涉及多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法,通过一定的互连方式实现上层相变存储阵列与下层外围电路互连。其特征在于本发明提出边缘互连、交错互连、共用字线互连和综合上述三种方式的互连等四种互连方式。并对每一种互连方...
宋志棠
丁晟
刘波
宝民
封松林
刘卫丽
文献传递
一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构
本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件,进行读写操作时,针对要操作的存储单元,给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低;针对不要进行读写操作的,并与要操作单元处于同一字线的存储...
丁晟
宋志棠
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