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丁晟

作品数:51 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 46篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...

主题

  • 40篇存储器
  • 33篇相变存储
  • 31篇相变存储器
  • 19篇电路
  • 11篇写操作
  • 9篇存储阵列
  • 7篇相变
  • 7篇芯片
  • 6篇编程
  • 6篇存储芯片
  • 5篇存储块
  • 4篇电压
  • 4篇读操作
  • 4篇读写
  • 4篇读写操作
  • 4篇堆栈
  • 4篇译码
  • 4篇译码器
  • 4篇嵌入式
  • 4篇嵌入式系统

机构

  • 51篇中国科学院
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 51篇丁晟
  • 49篇宋志棠
  • 26篇刘波
  • 22篇陈小刚
  • 22篇陈后鹏
  • 21篇封松林
  • 14篇蔡道林
  • 13篇陈一峰
  • 11篇陈邦明
  • 11篇许林海
  • 10篇李顺芬
  • 6篇刘卫丽
  • 5篇王倩
  • 5篇宝民
  • 5篇富聪
  • 4篇张挺
  • 4篇王玉婵
  • 3篇李喜
  • 2篇陈晓挺
  • 2篇姜泉江

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 9篇2012
  • 10篇2011
  • 7篇2010
  • 2篇2009
  • 9篇2008
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有冗余存储单元的相变随机存储器系统
本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括:主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元,当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时,副相变存储阵列以可选择...
丁晟宋志棠陈后鹏
文献传递
相变存储器的猝发写方法
本发明揭示了一种相变存储器的猝发写方法,所述方法包括如下步骤:并行写的每一位配备有一个独立的先入先出堆栈FIFO;相变存储器外部总线以设定的频率将写入数据输入到并行写每一位对应的FIFO中;并行写的每一位从对应的FIFO...
丁晟宋志棠
一种相变存储器读出电路及其快速读出方法
2012年
针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。
李喜宋志棠陈后鹏富聪丁晟
关键词:相变存储器读出电路灵敏放大器
利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法
本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法,该电路包括脉宽调制电流源电路,脉频调制电流源电路,振荡器电路,时序控制电路,采样反馈电路;所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比;所述脉频...
陈后鹏王倩宋志棠蔡道林富聪丁晟
非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置
本发明公开一种非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置。该装置对接收天线和射频系统输出的初始信号进行下变频和低通滤波处理,然后通过旋转解差分操作来消除多普勒频移。在完成解差分处理后,将信号送入位同步环路完成比特位同步,...
姜泉江陈晓挺刘会杰丁晟朱孝武池方玉梁广
一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法,在进行当前编程操作的同时,预读下一位或多位待编程的地址位,将其数据与待编程数据相比较:如果待写入数据与存储器原始存入数据相同,则不进行编程操作;如果待写入数据与存储器原始...
宋志棠丁晟陈邦明刘波陈小刚蔡道林封松林
文献传递
相变存储器
本发明揭示了一种相变存储器,所述相变存储器包括数条存储翼plane;所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO,每个block对应一个FIFO;其中,n为相变存储器并行读写位数;plane与plan...
丁晟宋志棠
文献传递
一种降低CMOS瞬态功耗的电路
本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路,包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路,所述PMOS晶体管的源极接入电源电平;在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间,接入一个隔离器件,使得该基...
丁晟宋志棠陈后鹏
文献传递
多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法
本发明涉及多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法,通过一定的互连方式实现上层相变存储阵列与下层外围电路互连。其特征在于本发明提出边缘互连、交错互连、共用字线互连和综合上述三种方式的互连等四种互连方式。并对每一种互连方...
宋志棠丁晟刘波宝民封松林刘卫丽
文献传递
一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构
本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件,进行读写操作时,针对要操作的存储单元,给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低;针对不要进行读写操作的,并与要操作单元处于同一字线的存储...
丁晟宋志棠
文献传递
共6页<123456>
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