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黄雪峰

作品数:3 被引量:8H指数:1
供职机构:西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体天线
  • 1篇色散
  • 1篇天线
  • 1篇退火
  • 1篇碲化镉
  • 1篇离子注入
  • 1篇晶体
  • 1篇P型
  • 1篇表面波

机构

  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇陕西科技大学

作者

  • 3篇黄雪峰
  • 2篇陈斌
  • 2篇汪家友
  • 1篇刘倩
  • 1篇贾护军

传媒

  • 2篇电子科技
  • 1篇中国高新技术...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
等离子体天线的基本原理及其构成被引量:7
2008年
等离子体天线可有效降低雷达散射截面,提高天线的隐身性能。文中研究了表面波在等离子体中传播的色散关系,探讨了表面波激发等离子体的基本原理,提出了具体的实验方案,论述了开发等离子体天线的关键技术及应用前景以及国内外研究现状。
黄雪峰陈斌汪家友
关键词:表面波等离子体天线色散
碲化镉晶体的制备及其显微特性研究
2007年
本文采用布里奇曼法合成了具有灰色金属光泽的碲化镉晶体,并对其显微结构进行了测试和分析,其(220)面的衍射峰是主峰,各衍射峰的位置与各标准衍射峰相比只有少量偏移。由图解外推法得出准确的晶格常数a=6.4818A,比标准晶格常数略微偏大。实验中碲和镉的配比为1:1,但高温下生成的碲化镉略为富Te,Cd空位使其成为本征p型。
黄雪峰汪家友刘倩
关键词:碲化镉晶体
离子注入制备P型SiC技术研究被引量:1
2008年
碳化硅是一种宽禁带半导体材料,适用于制作大功率器件,其材料的特点决定了碳化硅的掺杂需使用离子注入技术。然而,碳化硅P型注入仍存在许多问题,是当前研究的热点。文中在总结比较了国际该领域研究现状的基础上,分析讨论了各种碳化硅P型注入方法的优缺点,并指出了使用混合离子注入来改善注入层特性是今后制备P型SiC比较理想的技术。
陈斌黄雪峰贾护军
关键词:离子注入退火
共1页<1>
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