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黄荣

作品数：43 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇存储器
  • 16篇相变存储
  • 16篇相变存储器
  • 14篇相变材料
  • 10篇相变
  • 8篇光刻
  • 7篇激光
  • 6篇量子
  • 6篇纳米
  • 6篇激光直写
  • 5篇电极
  • 5篇纳米线
  • 5篇绝热层
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇驱动电路
  • 4篇脉冲
  • 4篇金属
  • 4篇化物
  • 4篇存储密度

机构

  • 43篇中国科学院
  • 2篇南开大学
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 43篇黄荣
  • 24篇卫芬芬
  • 24篇张杰
  • 24篇程国胜
  • 24篇孔涛
  • 6篇王龙
  • 5篇张宝顺
  • 5篇张子旸
  • 4篇李智
  • 3篇黄增立
  • 3篇于国浩
  • 2篇杨辉
  • 2篇苏瑞巩
  • 2篇刘永萍
  • 2篇张琦
  • 2篇卢峰
  • 2篇董红
  • 1篇王瑗
  • 1篇张珽
  • 1篇熊康林

传媒

  • 2篇真空电子技术
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 14篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件
本发明公开了一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件。该制备方法包括在衬底上先后沉积牺牲层和光刻胶；利用激光直写光刻对所述光刻胶的光刻区域进行相变处理；在相变后的光刻胶和所述牺牲层上进行显影得到光刻图形；进一步对相变处...
黄荣于国浩黄源清张宝顺丁孙安
文献传递
基于真空互联的过渡金属模型电催化结构表征方法
本发明公开了基于真空互联的过渡金属模型电催化结构表征方法。基于真空互联技术，研究了二氧化碳电催化过程中，氧化亚铜/铜模型结构的结构及其准原位表征。氧化亚铜与铜的复合结构(Cu<Sup>+</Sup>/Cu<Sup>0</...
龚忠苗崔义李治云黄荣刘通许蕾蕾
在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法
本发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法，其包括：在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中；控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理；在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀...
刘通黄荣李坊森黄增立陆晓鸣丁孙安
文献传递
一种相变存储单元及其制备方法
本发明提供了一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料...
程国胜卫芬芬孔涛黄荣张杰
文献传递
基于超导铝的低损耗共面波导谐振器被引量：2
2021年
研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量,目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素。微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分,可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣。利用分子束外延(MBE)技术在本征硅(111)衬底上生长铝膜,制备λ/4共面波导谐振器。通过硅衬底的处理和高质量铝薄膜的制备,在20 mK的温度和近单光子探测功率下将谐振器本征品质因子提升到10^(6)。
郑煜臻朱博杰武彪黄永丹陈建黄荣孙骏逸贾浩林顾俊熊康林冯加贵杨辉(导师)
关键词：量子电子学品质因子单光子
一种承载装置、用于FIB-SIMS互联实验的设备及方法
本发明公开了一种承载装置，承载装置包括：基座，包括底槽板和侧槽板，底槽板和侧槽板相连并围成一容置槽；承载板，设置于侧槽板上，以能够封闭容置槽的开口，承载板包括相对的连接端部和自由端部，连接端部铰接到侧槽板上；调节件，其部...
芮芳刘通陈志敏丁孙安黄荣陆晓鸣
一种成分可调的三元(Sb<Sub>1-x</Sub>Bi<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>纳米线的制备方法
本发明公开了一种成分可调的(Sb<Sub>1-x</Sub>Bi<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb<Su...
程国胜黄荣孔涛卫芬芬张杰
文献传递
一种新型相变存储单元结构
本实用新型公开了一种新型相变存储单元结构，包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，所述氮化物绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层...
程国胜卫芬芬孔涛张杰黄荣
文献传递
激光直写制备的纳米图形衬底上量子点、量子的定位生研究
高质量、尺寸均匀、位置可控外延生长的量子点、量子线结构在单光子器件、单电子器件、半导体激光器等多个方面有着很广阔的应用前景.目前人们多采用纳米压印技术、电子束曝光技术、聚焦离子束技术与干法或湿法蚀刻技术相结合的工艺来制作...
黄荣李智张子旸
相变存储器驱动电路及方法
本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路，包括：普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器...
程国胜王龙孔涛卫芬芬黄荣张杰
文献传递
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