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高超

作品数:3 被引量:4H指数:2
供职机构:中国科学院研究生院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇热载流子
  • 1篇电学
  • 1篇英文
  • 1篇载流子注入
  • 1篇栅介质
  • 1篇失效模式
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇热载流子应力
  • 1篇热载流子注入
  • 1篇界面态
  • 1篇经时击穿
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇薄栅
  • 1篇
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄栅

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 3篇高超
  • 2篇孙凌
  • 1篇王磊

传媒

  • 3篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究被引量:3
2008年
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。
孙凌高超杨华岳
关键词:热载流子注入经时击穿
DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式
2009年
研究了18V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能影响正好相反,前者减少了漏极串联电阻,而后者增大了沟道电阻。描述了这两个失效模式的物理过程,分析并讨论了器件参数的退化曲线。讨论了如何提高DEMOS在高栅压下的抗热载流子的能力,指出了漏极上方的氧化层的质量和栅极氧化层中自由电荷数量,对于提高器件的可靠性至关重要。
高超叶景良
关键词:热载流子
基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)被引量:4
2008年
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关。同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能。
孙凌高超王磊杨华岳
关键词:界面态迁移率
共1页<1>
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