马海林
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 供职机构：兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 双靶直流溅射多层膜的叠加结构对沉积扩散法制备高硅钢硅含量的影响被引量：1
- 2016年
- 以低硅钢片为基底(Fe-3%质量比Si),采用双靶直流共焦溅射不同叠加结构的硅-铁多层膜系(Fe-Si),然后在高真空下热扩散处理2 h得到高硅钢。研究了交替沉积、叠加周期性结构多层膜对热处理扩散硅含量的影响。用X射线衍射对样品进行物相分析,得出不同硅铁合金相(Fe-Si)的形成强烈依赖于前期膜沉积结构,周期性交替沉积Fe、Si膜时更有利于形成硅铁B2、DO_3相结构。用扫描电镜及能量散射谱观察了样品的断面微观形貌并测定硅含量沿断面深度分布关系,发现硅含量始终在断面中心低、两边高,且不同叠加结构膜系下的样品硅含量也不一样,选择合适的Fe、Si交替沉积膜系有利于硅的扩散。分别测量了不同叠加结构膜系下样品的电阻率、密度、断面显微硬度值,结果显示硅含量越高电阻率约大、硬度越高、密度越小。
- 马海林刘曦夏荣斌田广科
- 关键词：多层膜高硅钢磁控溅射
- 中频反应溅射制备工业级AlN薄膜及耐腐蚀性能研究
- 2020年
- 针对市面上对产品的耐腐蚀性要求,在工业化生产设备上,利用中频反应磁控溅射方法,在不同样件表面上沉积了氮化铝(AlN)薄膜用于产品外观抗腐蚀保护.研究了反应溅射“迟滞回线”现象并结合紫外-可见-红外光谱测算出所制备的工业级AlN薄膜的光学带隙(Eg)为6.3±0.1 eV.利用人造气氛腐蚀试验探讨了AlN薄膜保护下样品的耐腐蚀性能,结果表明:对于塑料装饰件,在经过72 h铜盐加速醋酸盐雾试验(CASS)时才出现被腐蚀痕迹,而镁合金样件在36 h时CASS试验时出现腐蚀,二者均已达到同类工业产品镀铬膜(Cr)保护层的耐腐蚀性能要求,太阳能真空吸热管多层膜涂层经30 h CASS试验后太阳光谱吸收率有所降低但仍达到合格水平.
- 马海林马海林范多旺夏荣斌
- 关键词：反应溅射迟滞回线耐腐蚀
- β-Ga_2O_3纳米材料的制备及高温电学特性(英文)被引量：1
- 2013年
- 用热蒸发化学气相沉积法成功制备了β-Ga2O3纳米材料,并研究了该纳米材料在高温下的电学特性.X射线衍射分析显示,产物为单斜结构的-Ga2O3.扫描电子显微镜及透射电镜测试表明,纳米带的宽度小于100 nm,长度有几微米;较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构,晶粒尺度在80～150 nm.电学特性的测试表明：当温度低于800℃时,纳米带电导率几乎不变,当温度高于800℃以上时,电导率和温度呈指数关系.
- 马海林李艳
- 关键词：镓纳米材料电导率
- 多弧离子镀膜技术结合扩散法制备高硅钢（英文）被引量：5
- 2015年
- 用多弧离子镀膜技术结合热扩散成功制备了高硅钢材料。研究了在不同扩散温度下合金的结构、形貌以及硅扩散深度。X射线衍射(XRD)测试表明,在经过高温热处理后样品表层均为α-Fe体心立方结构。硅扩散依赖于表层Fe3Si的结构的形成,场发射扫描电镜结合X射线能谱(FE-SEM,EDS)检测显示:在经过1200℃真空热处理后样品断面硅质量分数从4.6%至5.1%不等,而显微硬度HV测试值为2800 MPa,进一步印证了能谱测试的准确性。
- 马海林李艳耿中荣
- 关键词：扩散高硅钢软磁材料XRD
- 一维β-Ga/_2O/_3纳米材料的制备与发光特性研究
- 一维纳米材料因其特殊的物理性能以及它在未来纳米电子器件、光电子器件和微传感器等多方面潜在的应用前景，吸引了人们广泛的注意，目前已成为纳米科技研究的热点之一。一维纳米材料的制备技术在纳米科学研究中占据极为重要的地位，尽管纳...
- 马海林
- 关键词：一维纳米材料热蒸发CVD纳米带光致发光
- 文献传递
- 氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga_2O_3纳米材料的结构及发光特性的影响被引量：7
- 2008年
- 用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性.X射线衍射分析显示,产物为单斜结构的β-Ga2O3.扫描电子显微镜测试表明:在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带,宽度小于100 nm,长度有几微米;较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构,晶粒尺度在80—150 nm.PL的测试表明:β-Ga2O3纳米结构在波长516 nm处有很强的绿色发光带,且随着氧流量的逐渐增加发光强度逐渐减弱.在氧气氛中900℃退火2 h处理后,发光强度减弱,进一步证实氧空位缺陷是β-Ga2O3纳米材料发光的主要因素.
- 马海林苏庆兰伟刘雪芹
- 关键词：光致发光氧流量GA2O3
- 太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备被引量：5
- 2010年
- 通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层.我们提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速扩散;冷却成核;晶粒的慢速生长;铝原子的向外扩散.通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2×1016cm-3的高品质多晶硅薄膜.二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)结果表明:制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式;霍尔效应测试结果表明:制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式;拉曼光谱表明:通过QCGE AIC制备的多晶硅薄膜中包含有少量由小颗粒硅组成的区域.
- 王成龙范多旺王成兵耿中荣马海林苗树翻
- 关键词：太阳能电池多晶硅薄膜铝诱导晶化
- 氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响被引量：11
- 2014年
- 在不同氧分压η(η=O2/[Ar+O2])实验条件下,通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜,然后在真空环境下进行高温再结晶热处理.用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了氧分压η对光学带隙Eg的影响.X射线衍射(XRD)和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering)分析显示:经900℃高温热处理后,薄膜呈结晶β相氧化镓,且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大.室温下由UV-Vis测试薄膜透过率并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙Eg在4.68—4.85 eV之间,且随氧分压η的逐渐增加而变大.
- 马海林苏庆
- 关键词：氧化镓光学带隙磁控溅射
- 催化剂对热蒸发CVD法生长β-Ga_2O_3纳米材料的结构及发光特性的影响被引量：2
- 2013年
- 用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步形成纳米带、片等形状。β-Ga2O3纳米结构在波长516 nm处有很强的绿光发光带,而且随着催化剂颗粒尺寸的增加,发光强度和峰位'红移'现象逐渐减弱。
- 马海林李艳
- 关键词：GA2O3催化剂红移
