韩茹
- 作品数：26 被引量：44H指数：4
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金教育部科学技术研究重点项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 6H-SiC体材料ICP刻蚀技术
- 采用SF+O作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度...
- 丁瑞雪杨银堂韩茹
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀速率XPS
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- 碳化硅MOSFET的高温模型及关键工艺研究
- 作为第三代宽禁带半导体材料代表之一，碳化硅由于具有优越的电学、热学性质，因此在高温、高频及大功率场合下有广泛的应用前景。本文对SiC MOSFET器件的高温特性作了详细的研究，着重讨论了影响器件高温条件下输出特性的诸多因...
- 韩茹
- 关键词：碳化硅补偿电流源欧姆接触MOSFET器件
- 文献传递
- 碳化硅器件的温度特性及其关键工艺研究
- 碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。成熟的硅器件通常只能在200℃结温以下工作，而对于SiC高温器件和集成电路来说，其工作温度高，稳...
- 韩茹
- 关键词：碳化硅器件亚阈值电流高温环境等离子刻蚀
- 文献传递
- 4H-SiC BJT的Early电压分析被引量：1
- 2007年
- 通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度NC增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiCBJT的Early电压及电流增益的温度特性.
- 韩茹李聪杨银堂贾护军
- 关键词：温度
- SiC PiN二极管理论模型研究
- 本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiCPiN二极管特性的器件模型,如根据SiC中存在的多重杂质能级而引入多级复...
- 韩茹杨银堂
- 关键词：终端技术
- 文献传递
- 倒T型隧穿场效应晶体管
- 本发明提供了一种倒T型隧穿场效应晶体管，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区，两个单晶硅薄膜L型两侧分别有一个栅极绝缘层，栅极绝缘层的两侧...
- 韩茹张海潮王党辉安建峰黄小平张萌陈超
- 文献传递
- AXI互联总线的扩展方法
- 本发明公开了一种AXI互联总线的扩展方法，用于解决现有总线扩展方法复杂的技术问题。技术方案是由总线互联结构对称地对ID tag进行扩展和维护，在互联总线内部使用扩展的ID tag完成路由、仲裁、解码操作，同时设置扩展和维...
- 安建峰历广绪樊晓桠黄栋杉张盛兵王党辉张萌黄小平陈超韩茹
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- 带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
- 2007年
- 提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素,同时随着温度的升高,由于体内缺陷的存在导致体漏电流所占比例不断增大,逐渐成为Ids的重要组成部分。
- 韩茹杨银堂
- 关键词：碳化硅补偿电流源
- 总线监控与调试控制装置
- 本实用新型公开了一种总线监控与调试控制装置，用于解决现有的装置对总线监控与调试实时性差的技术问题。技术方案是包括锁相环、数据采集模块、时钟控制模块、工作模式控制模块、断点及调试控制模块、数据传输模块、存储器及存储器控制器...
- 王党辉樊晓桠张盛兵安建峰韩茹张萌黄小平陈超郑乔石
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- 6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析被引量：3
- 2007年
- 考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
- 韩茹杨银堂
- 关键词：补偿电流源
