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溶胶—凝胶法制备Cu2ZnSn(SxSe1-x)4薄膜太阳电池: 硫属化合物半导体材料铜锌锡硫硒(CZTSSe)不仅具有和CIGS类似的光电性能,而且其所含元素地球上含量丰富,作为薄膜太阳电池光吸收材料具有广阔的前景。目前已有包括真空和非真空的多种方法制备出了CZTSSe薄膜太阳电池器...; 韩自力; 关键词：薄膜太阳电池溶胶-凝胶法; 文献传递

一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法，涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法，以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液，以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱...; 刘芳洋孙凯文苏正华蒋良兴韩自力赖延清李劼刘业翔

溶胶—凝胶法制备Cu2ZnSn(SxSel-x)4薄膜太阳电池: 硫属化合物半导体材料铜锌锡硫硒(CZTSSe)不仅具有和CIGS类似的光电性能，而且其所含元素地球上含量丰富，作为薄膜太阳电池光吸收材料具有广阔的前景。目前已有包括真空和非真空的多种方法制备出了CZTSSe薄膜太阳电池器...; 韩自力; 关键词：太阳电池溶胶-凝胶法光电转换效率; 文献传递

连续离子层吸附反应沉积后硫化法制备柔性铜锌锡硫薄膜太阳电池被引量：6: 2014年; 在柔性钼箔衬底上采用连续离子层吸附反应法(successive ionic layer absorption and reaction)制备ZnS/Cu2SnSx叠层结构的预制层薄膜,预制层薄膜在蒸发硫气氛、550 C温度条件下进行退火得到Cu2ZnSnS4吸收层.分别采用EDS,XRD,Raman,SEM表征吸收层薄膜的成分、物相和表面形貌.结果表明,退火后薄膜结晶质量良好,表面形貌致密.用在普通钠钙玻璃上采用相同工艺制备的CZTS薄膜表征薄膜的光学和电学性能,表明退火后薄膜带隙宽度为1.49 eV,在可见光区光吸收系数大于104cm 1,载流子浓度与电阻率均满足薄膜太阳电池器件对吸收层的要求.用上述柔性衬底上的吸收层制备Mo foil/CZTS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ag结构的薄膜太阳电池得到2.42%的效率,是目前报道柔性CZTS太阳电池最高效率.; 孙凯文苏正华韩自力刘芳洋赖延清李劼刘业翔

一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法，涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法，以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液，以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱...; 刘芳洋孙凯文苏正华蒋良兴韩自力赖延清李劼刘业翔; 文献传递

一种金属硫属化合物薄膜的制备方法: 本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法；属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法，首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中，用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜，随后...; 刘芳洋孙凯文苏正华蒋良兴韩自力赖延清李劼刘业翔; 文献传递

溶胶-凝胶后硫化法制备铜锌锡硫薄膜太阳电池被引量：2: 2015年; 在560℃的硫气氛中退火处理溶胶-凝胶法制备的薄膜前躯体,制备太阳电池光吸收层铜锌锡硫(CZTS)薄膜。采用X线能量色散谱、扫描电镜、X线衍射、拉曼光谱和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜进行表征。研究结果表明:制备的CZTS薄膜为贫铜富锌成分,呈现锌黄锡矿结构;薄膜禁带宽度约为1.50 e V,在可见光区域内光吸收系数达到104 cm-1;制作的结构为Ag/Zn O:Al/i-Zn O/Cd S/CZTS/Mo/SLG的薄膜太阳电池器件的电池开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率分别为658 m V,16.75 m A/cm2,0.47和5.18%,表明溶胶-凝胶法有望成为制备廉价高效的CZTS薄膜太阳电池的有效途径。; 韩自力苏正华孙凯文刘芳洋赖延清李劼刘业翔; 关键词：CZTS 溶胶-凝胶法薄膜太阳电池

一种金属硫属化合物薄膜的制备方法: 本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法；属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法，首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中，用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜，随后...; 刘芳洋孙凯文苏正华蒋良兴韩自力赖延清李劼刘业翔; 文献传递

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