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韩玉鑫

作品数:7 被引量:21H指数:3
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电沉积
  • 3篇网络
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 2篇性能研究
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极氧化
  • 2篇阳极氧化膜
  • 2篇氧化膜
  • 2篇通信
  • 2篇铝阳极
  • 2篇铝阳极氧化
  • 2篇铝阳极氧化膜
  • 2篇半导体
  • 2篇VXWORK...
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔铝
  • 1篇氧化铝纳米线
  • 1篇一维半导体纳...
  • 1篇移动通信

机构

  • 7篇天津大学

作者

  • 7篇韩玉鑫
  • 3篇姚素薇
  • 3篇张卫国
  • 1篇赵培忠
  • 1篇刘伟星
  • 1篇莫敏
  • 1篇丁朋林
  • 1篇张璐

传媒

  • 2篇电镀与涂饰
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一维半导体纳米材料的组装及性能研究
本文利用电化学法和化学法,以铝阳极氧化膜(AAO)为模板,制备了一维半导体纳米线、纳米管,对其形貌和结构进行了表征,并对制备过程的影响因素、形成机理及材料性能进行了研究. 通过两次阳极氧化工艺,在草酸电解液中制...
韩玉鑫
关键词:纳米线电沉积纳米材料半导体材料
文献传递
基于MPC8260网络通信平台的二层交换机的设计与实现
2006年
以太网交换机是Internet的主要互连设备,本文提出了1种基于MPC8260通信处理芯片网络通信平台的整体架构,介绍了在该平台上以太网二层交换机的具体硬件实现和以嵌入式实时操作系统VxWorks为基础的软件设计。
韩玉鑫丁朋林
关键词:MPC8260VXWORKS
氧化镍纳米线的制备及光电性能研究被引量:4
2006年
通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8h得到NiO纳米线。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压。测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365nm)照射下,40V比60VNiO/AAO阵列体系的光电压大。
刘伟星姚素薇张卫国韩玉鑫
关键词:电沉积光电性能面心立方晶粒尺寸
数据挖掘在移动通信网络监控中的应用
移动通信网络监控表单是由通信设备提供的一种告警信息表单,主要记录移动通信设备经历的故障事件过程。数据挖掘旨在从大量的、不完全的、有噪声的数据中,自动提取隐含在其中的模式和知识。论文以移动通信网络监控表单为数据源,针对网络...
韩玉鑫
关键词:数据挖掘移动通信网络监控
文献传递网络资源链接
基于PowerPC405的网络下载器研究
随着互联网的发展和视频内容的丰富,人们对网络下载设备的性能要求也越来越高。越来越多的影音、数据资源的容量达到数十、数百GB,从网络上下载它们即使是“宽带”也需要数十小时才能完成,人们需要长时间等待在电脑前,浪费了时间又损...
韩玉鑫
关键词:嵌入式系统VXWORKS
文献传递
铝阳极氧化法制备Al_2O_3纳米线被引量:9
2005年
 采用二次铝阳极氧化法在草酸体系中制备多孔铝阳极氧化膜,用逆电剥离技术将氧化膜从铝基体上剥离。经超声清洗后,放入磷酸溶液中去除阻挡层,使纳米孔贯通。再将膜放入c=1mol/L的NaOH溶液和w=6%的铬酸、w=1 8%的磷酸混合溶液中进行溶解,可获得Al2O3纳米线。纳米线长度为40μm,与模板厚度一致,直径为10~20nm。通孔前后铝阳极氧化膜的形貌由SEM进行表征,纳米线的形貌由SEM和TEM表征。此外,本文还结合模板在溶解过程中的实验现象,对Al2O3纳米线的形成机理进行了初步分析。
姚素薇莫敏韩玉鑫张璐张卫国
关键词:铝阳极氧化膜多孔氧化铝纳米线
直流电沉积CdS纳米线的研究被引量:8
2004年
在磷酸溶液中,采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO).以AAO为模板,选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1.5μm的纳米线与AAO模板的孔径一致.该方法在制备过程中,无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程,而是直接在纳米孔内电沉积CdS,形成CdS半导体纳米线阵列.该方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体CdS的一维纳米材料.TEM和XRD测试结果表明,CdS纳米线为六方晶型结构.对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨.
姚素薇韩玉鑫赵培忠张卫国
关键词:半导体纳米线AAO模板多孔铝铝阳极氧化膜直流电沉积晶型结构
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