韩爱珍
- 作品数：28 被引量：62H指数：5
- 供职机构：哈尔滨工业大学航天学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 在电共沉积GaAs薄膜上制作肖特基势垒的研究
- 2007年
- 应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的I-V特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性。
- 曹一江王喜莲王磊韩爱珍高元恺
- 关键词：肖特基势垒
- PbWO4晶体的生长及其光学性能的研究被引量：3
- 1996年
- 本文报道了新型闪烁晶体ＰｂＷＯ４的生长。研究了晶体的生长工艺，获得较为平坦的固液界面，消除晶体生长中产生的缺陷；测试了晶体的光学性能；探讨了ＰｂＷＯ４晶体的着色的机理。
- 韩爱珍赵业权徐玉恒葛云成
- 关键词：晶体闪烁晶体光学性能着色钨酸铅
- GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究被引量：1
- 1999年
- 采用电共沉积制备ＧａＡｓ 薄膜． 研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ 值等电沉积参数对膜层质量的影响． 并在观察膜层形貌的基础上，测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能． 测试结果证明膜的直接带隙材料性，带隙宽度为１．４０ ｅＶ，薄膜成分为Ｇａ０ ．９９４６Ａｓ１．００５４ ，接近化学计量的ＧａＡｓ．
- 杨春晖张志梅杨兆明韩爱珍
- 关键词：电沉积砷化镓电流密度
- 电沉积砷化镓薄膜的研究
- 1993年
- 报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schottky曲线,计算了薄膜的能带位置。最后测量了Ga_(0.81)As_(0.09)/ 电解液结的光电化学特性。
- 高元恺韩爱珍林逸青赵永春张敬东
- 关键词：电沉积砷化镓
- Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长与其四波混频效应的研究被引量：4
- 1996年
- 本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长．采用简并四波混频光路测试晶体相位并轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应．在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四渡混频中，获得了变频相位共轭光。具有温度增强效应。
- 韩爱珍孙尚文高元凯葛云成
- 关键词：引上法晶体生长光折变效应铌酸锂
- Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究
- 2000年
- 在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。
- 杨春晖叶水驰韩爱珍高元凯
- 关键词：ALGAAS三元化合物络合剂
- Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究被引量：2
- 1996年
- 在ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱、抗光损伤能力、光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。
- 韩爱珍徐玉恒李铭华
- 关键词：晶体引上法晶体生长铌酸锂
- 用光热光偏转方法测量材料弱光吸收空间分布被引量：1
- 1993年
- 采用光热光偏转技术,实现了材料表面弱光吸收空间分布的测量,为材料表面弱光吸收和热特性的测量与研究提供了一种新手段.
- 吴杰韩爱珍成晓雄张政辉
- 电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究被引量：1
- 2002年
- 利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。
- 韩爱珍王喜莲高元凯
- 关键词：三元化合物半导体薄膜砷化镓镓铝砷化合物
- GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究被引量：3
- 1997年
- 报道了电共沉积制备ＧａＡｓ簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。
- 韩爱珍林逸青赵永春高元恺
- 关键词：电沉积砷化镓
