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雒哲廷

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:太原科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:山西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 1篇电子技术
  • 1篇性能研究
  • 1篇永磁
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇靶材
  • 1篇ND2FE1...
  • 1篇NDFEB永...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇太原科技大学

作者

  • 2篇雒哲廷
  • 1篇伍静
  • 1篇张敏刚
  • 1篇罗春云

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
NdFeB永磁薄膜性能研究及其溅射模拟
NdFeB永磁薄膜由于具有潜在的优异性能和商业价值而备受青睐。对其进行研究不仅有重要的理论价值,而且具有巨大的经济意义。但由于成分和工艺等方面的原因,目前其实际磁性能与理论值还有较大差距。 本论文对NdFeB稀...
雒哲廷
关键词:直流磁控溅射射频磁控溅射
文献传递
NdFeB永磁靶材溅射模拟被引量:3
2008年
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7keV时,溅射产额可达4,398(原子·离子^-1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。
雒哲廷张敏刚伍静罗春云
关键词:电子技术溅射
共1页<1>
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