陈颖慧
- 作品数：38 被引量：49H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技发展基金中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 梳齿电容式微加速度计
- 本发明公开了一种梳齿电容式微加速度计，包括由上至下设置的衬底层、绝缘层、结构层和基底层，绝缘层设在衬底层与结构层之间；衬底层和基底层上均设有金属引线电极。本发明不增加器件面积的情况下使得检测电容成倍增加，增加质量块重量，...
- 张照云苏伟唐彬彭勃陈颖慧
- 不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响被引量：8
- 2013年
- 选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,采用测试设备Dage 4000Plus对键合样品的键合强度性能进行了测试,并对测试结果进行了分析讨论。不同温度测试结果表明,380℃为最佳的金-硅共晶键合温度;单、双面溅金测试结果表明,双面溅金键合工艺优于单面溅金键合工艺。较低温度下实现较高键合强度的硅-硅键合实验表明,金-硅共晶键合的工艺简单、键合温度低,且对工艺环境要求不高。
- 陈颖慧施志贵郑英彬隆艳王旭光
- 关键词：键合共晶键合强度
- 一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法
- 本发明提供了一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法，包括以下步骤：在结构层表面光刻进行浅槽刻蚀；在结构层表面光刻定义微加速度计结构图形；DRIE刻蚀结构层至绝缘层；HF溶液腐蚀绝缘层；在玻璃片上光刻，利用BHF溶液腐蚀玻璃...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧高杨熊壮
- 硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜的工艺研究
- 本文采用射频磁控溅射方法在Si (001)基片上和金刚石衬底上沉积了Zn0薄膜，研究了氢氧比和退火温度对Zn0薄膜微观结构及性能的影响，分析对比了Si基底和金刚石基底对Zn0薄膜结晶质量的影响。利用X射线衍射分析(XRD...
- 陈颖慧
- 关键词：氧化锌薄膜
- 文献传递
- 圆片级封装中硅帽的设计和加工被引量：1
- 2015年
- 为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验。采用电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔。采用光学显微镜测试了上、下通孔的平面结构。在完成硅帽和敏感结构的键合后,进行了引线测试,结果表明这种上大下小的通孔结构能很好地完成引线工艺,其中250μm×250μm的尺寸是最佳开口面积。
- 陈颖慧张慧施志贵屈明山
- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
- 本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；...
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- 文献传递
- 剥离工艺制作SAW滤波器IDT的研究被引量：6
- 2012年
- 研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺。利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性。对加工样品的测量分析结果表明,利用剥离工艺制备的叉指换能器电极线条光滑、陡直、清晰,但是成品率较低。对比分析了采用铝和铬金制作的叉指换能器样品结构,结果表明两种金属材料在剥离液中的腐蚀时间不同,铝材料需要较长的剥离时间;两种材料制作的电极图形质量也有差异,铝材料制作的电极更为陡直、精细。
- 陈颖慧高杨郑英彬赵兴海
- 关键词：滤波器
- ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作被引量：3
- 2013年
- 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。
- 陈颖慧郑英彬席仕伟唐彬王旭光张慧
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 文献传递
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护结构
- 一种SOI？MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护结构，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 文献传递
