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陈敬峰

作品数:6 被引量:1H指数:1
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇介电
  • 2篇电性能
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇介电常数
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇晶化
  • 2篇拉制
  • 2篇溅射
  • 2篇玻璃基
  • 2篇玻璃基板
  • 2篇高性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇陈敬峰
  • 5篇韩高荣
  • 5篇翁文剑
  • 4篇杜丕一
  • 3篇覃莹
  • 2篇宋晨路
  • 2篇赵高凌
  • 2篇汪建勋
  • 2篇沈鸽
  • 2篇徐刚
  • 2篇张溪文

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇2007年全...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法
本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法,首先在涂覆在玻璃基板上的ITO底电极上拉制铽掺杂PT取向诱导层;再在铽掺杂PT取向诱导层上沉积PST薄膜;铽掺杂PT取向诱导层具有(100)择优取向,PST薄...
杜丕一陈敬峰宋晨路翁文剑韩高荣汪建勋赵高凌沈鸽徐刚张溪文
文献传递
一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法
本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法,首先在涂覆在玻璃基板上的ITO底电极上拉制铽掺杂PT取向诱导层;再在铽掺杂PT取向诱导层上沉积PST薄膜;铽掺杂PT取向诱导层具有(100)择优取向,PST薄...
杜丕一陈敬峰宋晨路翁文剑韩高荣汪建勋赵高凌沈鸽徐刚张溪文
文献传递
取向PT薄膜的溶胶-凝胶法制备及其对PST薄膜的取向诱导
2008年
采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜。通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进行分析,得出了较为优化的制备工艺,并在此基础上溅射沉积出具有明显择优取向特征的PST薄膜。很明显,以取向PT作为诱导层,可以得到择优取向的PST薄膜材料。
陈敬峰杜丕一覃莹韩高荣翁文剑
关键词:钛酸铅
Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_xO)_(3-x)陶瓷薄膜的制备及介电性能研究被引量:1
2008年
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_x)O_(3-x)(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能。结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密。Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定。薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象。薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍。材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高。
陈敬峰杜丕一覃莹翁文剑韩高荣
关键词:射频磁控溅射介电性能
取向PT薄膜的溶胶-凝胶法制备及其对PST薄膜的取向诱导
采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜.通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进...
陈敬峰杜丕一覃莹韩高荣翁文剑
关键词:钛酸铅铁电薄膜
文献传递
溅射法PST薄膜的诱导取向制备及介电性能研究
铁电材料具有优良的介电、压电、铁电、热释电及介电非线性等特性,其极化强度可随外加电场呈非线性变化的性质可用于制备微波可调元器件,如相控阵天线上的移相器、振荡器、滤波器、延迟线等,应用前景十分乐观。就研究体系而言,目前主要...
陈敬峰
关键词:PST介电性能
文献传递
共1页<1>
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