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陈志刚

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:昆士兰大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇氧化锌
  • 1篇制氢
  • 1篇热电材料
  • 1篇米线
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化剂
  • 1篇分解水
  • 1篇分解水制氢
  • 1篇CU掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇催化
  • 1篇催化活性
  • 1篇催化剂
  • 1篇Z

机构

  • 2篇昆士兰大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 2篇陈志刚
  • 1篇王学文
  • 1篇刘岗
  • 1篇郑坤
  • 1篇邹进

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2010年全...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Cu掺杂及应变加载对单根SnSe微米线电学性能影响的研究被引量:2
2019年
利用溶剂热法合成SnSe及10%Cu掺杂的SnSe,通过XRD、SEM、TEM等显微学技术对其进行形貌及结构表征分析。利用聚焦离子束技术(FIB)选取、制备多根未掺杂及10%Cu掺杂、取向为[001]的SnSe单晶微米线,结合纳米操控与电学测试系统对这些SnSe微米线进行了电学输运性能的测试研究。结果表明10%Cu掺杂的SnSe微米线较其未掺杂的微米线电导率提升了3.1倍,其平均电导率分别为156.17 S·m-1和38.02 S·m-1。同时,也对它们进行了应变加载下的电学输运特性的研究,发现随着压应变的增大,微米线电导率提升,应变在1%左右时,其电导率提升了大约30%。掺杂引起电导率提升是由于Cu+的掺杂代位Sn2+所引起的系统中空穴浓度的大幅提高;而应变引起电导率提升可能是由于应变的存在使材料原子间距发生变化从而改变材料的电子态进而降低能带带隙。本研究对基于热电材料SnSe的应用有指导意义。
郑云志苑华磊郑坤史晓磊陈志刚邹进
关键词:CU掺杂热电材料电学性能
基于直接Z机制的氧化锌基复合型催化剂光催化分解水制氢
基于直接Z机制的以氧化锌为基的多元复合型光催化剂被设计和合成。首先在原有的间接Z机制的基础上发展了去除中间过渡离子的直接Z机制,并根据直接Z机制设计并用湿化学方法合成了ZnO—CdS异质结构复合型光催化剂。相比较单相的Z...
王学文刘岗陈志刚李峰王连州逯高清成会明
关键词:氧化锌光催化剂催化活性分解水制氢
文献传递
共1页<1>
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