闻黎
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：首钢高新技术有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型集成电路隔离技术——STI隔离被引量：3
- 2002年
- 集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。
- 闻黎王建华
- 关键词：集成电路
- 新型集成电路互连技术——铜互连技术被引量：3
- 2002年
- 传统铝互连技术面临的挑战集成电路特征线宽缩小到0.13μm以下乃至进入纳米阶段后,金属布线的层数越来越多(逻辑器件达7～8层),金属导线的自身电阻及其间的寄生电容越来越成为影响器件速度的制约因素。所以,金属导线的互连技术也是目前必须解决的工艺问题之一。
- 闻黎王建华
- 关键词：铜互连技术互连工艺寄生电容集成电路刻蚀工艺
- TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO<,2>和P-SiON薄膜的研究
- 该文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在低温低压下,使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂,Tetraethylorthosilic...
- 闻黎
- 关键词：氮氧化硅
- 文献传递
