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赵丽华

作品数:6 被引量:28H指数:3
供职机构:西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
发文基金:西安交通大学博士学位论文基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇电阻率
  • 2篇碳化硅
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸钡
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇防晕
  • 1篇导电特性
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇电压
  • 1篇影响因素
  • 1篇酸化
  • 1篇酸值
  • 1篇碳化
  • 1篇碳化塔

机构

  • 6篇西安交通大学

作者

  • 6篇赵丽华
  • 5篇于开坤
  • 4篇宁叔帆
  • 4篇陈寿田
  • 4篇刘斌
  • 2篇郭相国
  • 1篇李红岩
  • 1篇郭磊
  • 1篇浦永平
  • 1篇王会利

传媒

  • 5篇绝缘材料
  • 1篇非金属矿

年份

  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
改进α-碳化硅防晕体系防晕性能的研究被引量:2
2004年
为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×107Ω·m,而非线性系数增加,从不掺杂β-SiC时的1.527提高至β-SiC掺入量为7.5%时的1.695,该防晕体系用于大电机定子线棒时,起晕电压提高了353%,达到了实际应用的要求。
于开坤宁叔帆赵丽华刘斌陈寿田
关键词:防电晕材料起晕电压
模拟碳化塔中碳酸化反应合成碳酸钙晶须研究被引量:9
2003年
在模拟碳化塔中进行了碳酸钙晶须合成的研究 ,发现压缩空气和CO 2 气体流量、温度、反应的液面高度对反应时间和碳酸钙晶须的生长具有很大影响 。
王会利赵丽华刘斌陈寿田
关键词:碳酸钙晶须碳化
分散剂对钛酸钡介电性能的影响被引量:1
2005年
通过水煮损耗测试、温度特性、电导率和化学分析、瓷片表面显微结构等测试手段,研究了在固相反应制备钛酸钡的工艺中,向BaCO3粉体和TiO2粉体的混合球磨的浆料中加入聚乙烯醇作为分散剂对合成的钛酸钡粉体均匀性的影响。研究结果表明,碱性聚乙烯醇改善合成BaTiO3粉体均匀性的效果最好,介电常数峰值提高了2313、游离BaO含量降低了93.33%。
赵丽华于开坤郭相国宁叔帆
关键词:钛酸钡固相反应分散剂均匀性介电性能
浆料酸值对钛酸钡电容器介电性能的影响
2004年
通过水煮溶液 pH值及其电导率、电气强度、介电性能 -温度特性、化学组成、陶瓷片表面显微结构等的测试分析 ,研究了固相反应合成钛酸钡 (BaTiO3)粉体中 ,用氨水调高浆料的 pH值对BaTiO3 基电子陶瓷电容器的介电性能的影响。结果表明 :pH值提高明显改善BaTiO3 粉体的性能。在 pH=10.3时 ,合成的BaTiO3 中BaO含量降低了92.86 % ,电气强度提高了29.50 % ,介电常数峰值提高了15.41 %
赵丽华郭相国浦永平于开坤
关键词:钛酸钡介电性能PH值电容器
防晕层厚度和碳化硅含量对其电学性能影响因素的研究被引量:4
2005年
研究了大电机定子线棒碳化硅(SiC)防晕层的非线性电学性能及其影响因素。将SiC材料涂刷到电机线棒表面作为防晕层时,影响防晕层电学性能的因素除了与SiC材料本身的性能有关外,还与防晕层的厚度以及SiC材料在防晕层中所占的比例等因素有关。研究结果表明:随着碳化硅防晕层厚度的增加,碳化硅防晕层的非线性系数提高,表面电阻率下降;随着碳化硅粉料在防晕层中的比例的增大,防晕层的非线性系数,表面电阻率下降。
于开坤宁叔帆赵丽华刘斌陈维陈寿田
关键词:碳化硅防晕电阻率
碳化硅非线性导电特性的研究进展被引量:16
2005年
综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素。前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响。
郭磊宁叔帆于开坤李红岩赵丽华刘斌陈寿田
关键词:碳化硅电阻率
共1页<1>
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