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贾全杰
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57
被引量:62
H指数:4
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中国科学院高能物理研究所
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郑文莉
复旦大学物理学系应用表面物理国...
蒋最敏
复旦大学物理学系应用表面物理国...
王焕华
中国科学院高能物理研究所
陈雨
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5篇
2000
5篇
1998
共
57
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Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
2001年
用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性.根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式:在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响.
郑文莉
贾全杰
姜晓明
蒋最敏
关键词:
锗
半导体材料
表面偏析
分子束外延
注砷p型ZnO晶体中点缺陷结构及其变化的研究
采用X射线漫散射方法和光电子谱研究了注砷ZnO晶体中点缺陷的类型、结构及其退火后的变化.退火前,注入的As占据ZnO晶格的O位、Zn位及间隙位,晶体中同时存在位错环和平均尺寸小于3.1 nm的离散的点缺陷团;在800℃氧...
苑梦尧
原宏宇
姜晓明
贾全杰
陈雨
吴忠华
王焕华
关键词:
P型ZNO
点缺陷
位错环
同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分布的应用
1998年
X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布,所得结果表明,300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。
贾全杰
蒋最敏
等
关键词:
Δ掺杂
硅晶体
全反射X射线荧光分析在生物医学中的应用
被引量:1
1998年
介绍了利用北京同步辐射实验室的全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品的可行性.并用此谱仪测量了正常的和受辐照的小白鼠小肠细胞的痕量元素含量,发现K、Ca、Fe等元素含量有明显的提高,Cu元素含量明显降低,Mn元素含量变化不大,Zn元素含量基本稳定,并讨论了其在临床医学上的重要价值。
赵利敏
吴应荣
黄字营
李光城
李光城
袁丽珍
贾全杰
关键词:
全反射
X射线荧光分析
猪肝
北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站
2000年
贾全杰
关键词:
北京同步辐射装置
光束线
非线性光学铌酸钾锂晶体中组份离子的分布
被引量:1
1998年
研究了用电阻加热引上法生长的铌酸钾锂晶体中组份离子的分布及其对晶体的折射率和倍频性能的影响。
万尤宝
贾全杰
等
关键词:
铌酸钾锂晶体
引上法
相位匹配
激光材料
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
被引量:1
2008年
采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射(GISAXS,grazing incidence small angle X-ray scattering)研究。根据AFM测量得到的量子点尺寸、形状和间距等参数,采用DWBA理论以及合适的分布函数,利用IsGISAXS程序对一维和二维GISAXS测量结果进行了模拟,模拟结果与实验数据符合很好,表明GISAXS是一种探测锗硅量子点尺寸、形状和分布等结构信息有效的方法。
王玉柱
贾全杰
陈雨
薛宪营
姜晓明
崔健
林健晖
蒋最敏
何庆
关键词:
锗硅
量子点
掠入射X射线衍射实验方法研究
1997年
姜晓明
贾全杰
等
Si晶体中δ掺杂Sb原子的分布研究
1997年
贾全杰
蒋最敏
等
关键词:
Δ掺杂
SB
硅
半导体
锑
X射线
同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用
被引量:16
2000年
利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法.对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号.实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域.
姜晓明
贾全杰
郑文莉
刘鹏
冼鼎昌
蒋最敏
王迅
关键词:
量子点
微弱信号
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