谭开州
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔...
- 张培健易孝辉陈仙洪敏魏佳男唐新悦朱坤峰谭开州罗婷张静徐学良付晓君王鹏
- Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：5
- 2002年
- 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ;
- 李竞春杨沛峰杨谟华何林李开成谭开州张静
- 关键词：热稳定性分子束外延X射线双晶衍射锗硅材料
- 混合晶向硅衬底的制造方法
- 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO<Sub>2</Sub>做为掩蔽层，不需做SPAC...
- 崔伟谭开州张静徐世六张正璠杨永晖陈光炳徐学良王斌陈俊梁涛
- 文献传递
- 一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法
- 2009年
- 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。
- 杨洪东李竞春于奇周谦谭开州张静
- Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术
- 1999年
- MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献。
- 胡永贵谭开州张家斌张正璠肖鹏夏培邦
- 关键词：MOSFET总剂量辐照
- 适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
- 2010年
- 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。
- 卢盛辉杨洪东李竞春谭开州张静
