许恒生
- 作品数：16 被引量：30H指数：3
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 低压宽温低阻抗铝电解电容器有机电解液的研究被引量：2
- 1996年
- 概括分析了低压宽温低阻抗工作电解液的基本要求与研制途径，系统研究了以马来酸氢铵、马来酸四乙基氢铵为液质，乙二醇和γ－丁内酯为混合溶剂的２种新型工作电解液的基础性能．并通过成品电解电容器的高低温及频率特性的试验分析，证实可实用于—５５～十１０５℃的低压电解电容器中，具有较好的高频低阻抗性能，电容器性能符合日本同类产品的性能标准要求．
- 秦红珊许恒生王丽莉
- 关键词：铝电解电容器有机电解液低压阻抗
- 高压电解电容器用高纯铝箔的分析被引量：1
- 1990年
- 本文着重通过对高压铝箔的化学成份和轧制及热处理工艺的对比分析,得知国产高压铝箔在化学成份方面差距不大,主要是热轧及相应的热处理工艺方面有较大的差异。这表现在热轧起始温度低,或热轧加工量小,为了获得较高的立方织构度,需要采用600℃高温度的退火热处理工艺。其结果表现在微观组织结构方面无论是织构度或杂质分布均一性都较国外箔差,致使其腐蚀形态不利于化成箔比容的提高,仅获得了0.45μF/cm^2的水平,与日本JCC公司的0.7μF/cm^2的水平相比,仍有相当差距。而且铝箔的晶粒有异常长大现象,呈极软状态,不利于卷绕。根本的改善途径在于改进热轧工艺及相应的热处理工艺。在条件尚不具备的情况下。应在热处理工艺及腐蚀工艺上下工夫。
- 许恒生曹婉真
- 关键词：电容器铝箔
- 铝电解电容器的宽温高频低阻抗特性研究被引量：1
- 2008年
- 以宽温高频低阻抗特性的理论为基础,实验分析了该类特性的低压电解电容器应用无水或多水电解液体系的利弊,以及乙二醇多水体系水能改善低温特性的原因。结果表明:EG-水混合溶剂体系低压电解液,φ(水)在20%～50%,γ30℃大于10–3S·cm–1时,才可满足宽温高频要求。此类低压电解电容器的高温指标能达到105℃负荷寿命3000h的水平。
- 宁昆王德全曹玉明谢志国许恒生
- 关键词：电子技术铝电解电容器工作温度范围工作电解液
- 工作电解液中影响闪火电压的因素被引量：17
- 1998年
- 从工作电解液闪火机制的研究出发讨论了影响闪火电压的因素。加藤所提出的闪火电压与负离子浓度成反比的理论比传统的闪火电压与电阻率成正比的理论更加完善。负离子浓度、种类影响界面上氧离子的浓度及介质膜的强度。从闪火机制来看，它是对闪火电压更加直接的影响因素。这种理论能够解释混合溶质及界面活性剂等能够提高闪火电压的同时又降低电阻率的本质原因。
- 孙伟利许恒生王丽莉
- 关键词：铝电解电容器工作电解液闪火电压负离子
- 国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅱ.铝箔的金相结构与热处理条件的关系被引量：1
- 1992年
- 在恒定的升温速率下,对丹东LG5Y铝电解电容器阳极用高纯铝箔施以300～600℃间不同时间的恒温热处理,分析其金相结构,获得热处理后高纯铝箔的金相结构与热处理条件之间的关系。
- 卢江许恒生曹婉真
- 关键词：铝箔隧道腐蚀金相铝电解电容器
- 双电层电容器的发展现状与未来
- 许恒生曹婉真
- 关键词：电容器电偶层
- 高比容高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔
- 徐友龙曹婉真袁战恒邵祖发许恒生
- 该成果是中高压铝电解电容器的关键部件。可广泛应用于军事、宇宙或者家用电器等设备中，其小型化关键在于提高腐蚀铝箔的比容。该项目对比分析了国产铝箔和日本铝箔的微量杂质、位错密度、晶粒度、立方织构度表面状态，针对国产铝箔特点，...
- 关键词：
- 关键词：铝电解电容器高比容阳极
- 用RAM记录仪对电解液闪火电压的精确测定
- 2001年
- 开发的RAM记录仪系采用微机控制系统和高精度电参数测试系统构成。能精确测试及判断闪火电压、形成效率。测试精度高达0.1%,测试速度快,能保存测试结果,查阅方便。
- 赵忠明孙伟利韩颖许恒生
- 关键词：工作电解液闪火电压电解电容器
- 气相扩散法实现对PLZT陶瓷的表面改性被引量：1
- 1992年
- 提出用高温气相扩散法实现对透明铁电PLZT陶瓷的表面改性,并对PLZT-7/65/35陶瓷用箱法扩散进行了改性。测量结果表明:改性后紫外光光敏度提高了2个数量级,且对可见光敏感,具有较为平坦的光响应;由于不再采用高能离子注入技术,成本大大降低,方法也十分简单;为透明铁电PLZT陶瓷向实用化发展提供了一个良好的途径。
- 刘芸许恒生武明堂姚熹
- 关键词：表面改性
- 透明铁电PLZT陶瓷的短路光电流初探
- 1992年
- 本文对透明铁电PLZT陶瓷的改性及未改性试样进行了短路光电流测试,对PLZT光电图象存储器的微观机制进行了探讨。结果表明:光激载流子的输运效应、热释电效应、光生伏打效应都对PLZT陶瓷的图象存储有贡献,光电流峰值与光敏度的数量级有相应的变化,光电流峰值与光强成正比,稳态短路光生伏打电流与光强成正比,光电流与暗电流之比反映了存储图象的光敏度。
- 刘芸许恒生武明堂姚熹
