茹国平
- 作品数：82 被引量：79H指数：5
- 供职机构：复旦大学微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育发展基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离...
- 李龙蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗张卫
- 离子束溅射制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜材料
- 一种制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜的新方法。采用离子束溅射（Ｉｏｎ－Ｂｅａｒｍ－ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉粉末靶的方法制备了氧化钒的薄膜。用ＸＰＳ对溅射出的薄膜进行测试表明，生成的是Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜...
- 周进茹国平李炳宗
- 关键词：离子束溅射氧化钒激活能
- 一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的...
- 陈韬屈新萍刘书一万景茹国平蒋玉龙
- 文献传递
- 多层薄膜固相处延CoSi<,2>反应动力学研究
- 屈新萍茹国平李炳譤吴卫军
- 关键词：薄膜厚度反应动力学
- 中红外量子级联激光器输运特性的仿真(英文)
- 2012年
- 基于一种非局域化的输运模型,对不同结构不同温度下的中红外量子级联激光器的输运特性进行了仿真。在这个模型中,利用量子隧穿、微带隧穿以及热载流子输运等长程载流子输运模型,对传统的扩散-漂移方程进行了矫正.并将基于上述集成模型的计算结果和实验结果进行了比较,通过拟合参数的合理设置,计算结果和实验结果得到了很好的吻合.
- 李营营茹国平李湛明
- 关键词：量子级联激光器仿真输运特性
- 对半导体pn结接触电势的一个讨论被引量：2
- 2003年
- 讨论了半导体 pn结内建电场和接触电势的形成与可测性 ,回答了在半导体物理学 pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题 .从热力学第一定律、金属 -半导体接触等不同角度详细解释了热平衡 (零偏下 )时pn结不可能对外输出电压和电流的原因 .
- 茹国平
- 关键词：PN结金属-半导体接触接触电势内建电场
- 非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用研究
- 在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.本文研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiS...
- 蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
- 关键词：硅化物NISI固相反应
- 文献传递
- SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
- 2001年
- 报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 10 0 0℃ ,与 Co
- 韩永召李炳宗茹国平屈新萍曹永峰徐蓓蕾蒋玉龙王连卫张荣耀朱剑豪
- 关键词：固相反应
- 电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
- 2006年
- 采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.
- 武慧珍茹国平张永刚金成国水野文二蒋玉龙屈新萍李炳宗
- 关键词：超浅结
- 反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结被引量：1
- 2007年
- 用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.
- 武慧珍茹国平黄魏蒋玉龙屈新萍李炳宗
- 关键词：超浅结载流子浓度载流子迁移率
