花金荣
- 作品数：6 被引量：26H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 熔石英亚表面三维Hertz锥形划痕附近光强分布的数值模拟被引量：3
- 2010年
- 熔石英亚表面划痕对入射激光的调制是导致光学材料损伤的主要因素.本文建立了熔石英后表面上三维Hertz锥形划痕模型,采用三维时域有限差分方法对划痕周围的电场强度进行了计算模拟,并分别讨论了划痕的深度、半径以及倾斜角度对入射光场调制作用的影响.结果表明:Hertz锥形划痕中心区域的电场增强效果最明显,最容易被辐照损伤;划痕的深度从λ变化到9.5λ的过程中,熔石英内的最大电场强度逐渐增大;半径小于1.5λ的Hertz锥形划痕较容易引起熔石英的损伤,当半径大于1.75λ时,熔石英内的最大电场强度都维持在2.5V/m,不再受半径大小影响;当入射激光在划痕的内侧界面和熔石英后表面之间发生内全反射时,光场增强效果愈加明显.
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- 关键词：电场分布数值模拟
- 熔石英亚表面横向划痕调制作用的3维模拟被引量：3
- 2010年
- 建立了熔石英后表面3维横向划痕模型,并采用3维时域有限差分方法对熔石英亚表面划痕周围的电场强度进行了数值模拟,分析了划痕宽度、深度、长度以及划痕倾斜角度对入射光场的调制作用,结果表明：随划痕深度和划痕长度的增加,熔石英内的最大电场强度增大,且当划痕长度达到1μm以上时,最大电场强度趋于稳定;划痕结构因子在1－2之间的划痕较容易引起熔石英损伤;而入射激光在划痕界面和后表面之间发生内全反射时,后表面上的光强增强效果更加明显,因此减少角度范围在20.9°－45°之内的划痕能大幅提高熔石英的损伤阈值。
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- 关键词：时域有限差分电场分布激光损伤
- 熔石英亚表面缺陷诱导激光损伤的FDTD研究
- 随着强激光用于约束聚变理念的提出，各大型激光器的研制如火如荼地展开，然而光学元件负载能力，大大限制了激光器输出的能量，而亚表面的缺陷又是导致光学元件负载能力下降的根本原因之一。针对亚表面缺陷诱导激光损伤的问题，我们从理论...
- 花金荣
- 关键词：激光损伤阈值时域有限差分
- 文献传递
- 激光诱导光学材料后表面损伤的数值模拟被引量：7
- 2009年
- 采用3维时域有限差分方法和完全匹配吸收层,模拟了长方体缺陷在熔石英前后表面时对入射激光为TM波的调制作用,绘出了截面上的电场强度分布及最大电场强度随熔石英深度变化的曲线,并进行了比较和分析。结果表明:缺陷在前表面上时,后表面附近的最大电场强度2.52241V/m大于缺陷附近的1.95883V/m;缺陷在后表面上时,材料中的最大电场强度为2.79938V/m,且出现在后表面附近。无论该缺陷在前表面还是在后表面,最大电场强度都是出现在后表面附近,表明光学材料的后表面在一定程度上更容易被损伤。
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- 关键词：激光诱导损伤熔石英时域有限差分法
- 熔石英亚表面杂质颗粒附近光场调制的三维模拟被引量：3
- 2011年
- 熔石英亚表面缺陷是光学材料低损伤阈值的主要因素之一.本文建立了熔石英亚表面三维球形杂质颗粒模型,采用三维时域有限差分方法对杂质附近的光场进行了数值模拟,分析了杂质的介电常数与尺寸对光强增强因子的影响,结果显示:介电常数小于熔石英的杂质,其光强增强因子不随尺寸、介电常数的改变而改变,均保持为4左右;当介电常数为6.0时,半径为1.5λ,2λ及2.5λ的杂质,相应的光强增强因子分别为50.1588,73.3904及102.9953,即增强因子随杂质尺寸的增大而增大;恰为球体的杂质比椭球体的杂质对入射光强的增强更大.因此,介电常数大于熔石英,且尺寸较大的球形杂质,其场增强非常明显.
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- 光学材料亚表面缺陷处强激光电磁场分布的3维模拟被引量：7
- 2009年
- 利用时域有限差分法求解麦克斯韦旋度方程,研究了光学材料表面缺陷对入射激光场的调制作用,建立了亚表面缺陷的3维模型。以长方体表面缺陷为例,对缺陷附近的光场分布进行了3维数值计算,给出了电场强度3维分布图和缺陷不同尺寸时的最大电场强度。研究表明,相对于2维简化情况,3维表面缺陷对强激光电磁场的调制作用更加明显。
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- 关键词：激光损伤
