臧国忠
- 作品数：40 被引量：10H指数：2
- 供职机构：河南科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种双转子电动机
- 一种双转子电动机，包括转轴和套设在转轴的壳体，所述壳体的两端分别通过同心轴承与转轴连接，所述转轴由两个空心的半轴拼接组成，两半轴相对的端部分别设有一用于稳定该半轴的环形轴肩，两环形轴肩之间通过空心轴承Ⅰ嵌套设置，且位于外...
- 王丹丹周锋子王赵武臧国忠张伟英李立本贾雷王希瑞谢四楼黄海明王智博李志康李小红
- 文献传递
- 一种Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>-Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>-Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法，涉及无机非金属领域的一种陶瓷材料...
- 李立本刘欢欢臧国忠周锋子李永
- 文献传递
- 一种高致密度钒酸铋陶瓷的制备方法
- 一种高致密度钒酸铋陶瓷的制备方法，所制得的钒酸铋陶瓷致密度97%以上，以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>粉体为原料，混合压片后在密封的石英模具内...
- 李国岭李海生王赵武曹京晓王丹丹马海祥刘书丽孙广宇郜元煜郑博含黄海明臧国忠李立本
- 文献传递
- 一种光敏电容器的制备方法
- 一种光敏电容器的制备方法，先将具有小极化子效应的光敏材料压制成片状后烧制成陶瓷，并制成介电材料层；然后在介电材料层的两侧设置导电银浆镀层；取两片导电玻璃并置于介电材料层两侧，使导电玻璃上的导电膜与导电银浆镀层接触，所述导...
- 王志晓李国岭周锋子李立本臧国忠
- 文献传递
- 一种La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>-Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>-Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>压敏-电容双功能陶瓷材料，该陶瓷材料由SnO<Sub>2</Sub>粉...
- 梅方李立本臧国忠
- 文献传递
- SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷的介电性质研究被引量：1
- 2012年
- 通过传统陶瓷制备工艺制备了致密的SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷介电性质的影响及其高介电性质产生的机理。研究发现,40Hz时,该复合陶瓷的相对介电常数高达104,远高于SnO2、Zn2SnO4陶瓷,且样品的相对介电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步研究发现,样品的电容随着施加偏压的变化满足肖特基势垒电容公式,这表明,SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的高介电行为起源于晶界处的双肖特基势垒。
- 梅方李立本臧国忠
- 关键词：介电性质复合陶瓷肖特基势垒SNO2
- 一种制备钒酸铋功能陶瓷的方法及制得的钒酸铋功能陶瓷
- 一种制备钒酸铋功能陶瓷的方法及制得的钒酸铋功能陶瓷，以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>粉体为原料，将Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 李国岭李海生王赵武曹京晓王丹丹马海祥刘书丽孙广宇郜元煜郑博含黄海明臧国忠李立本
- 文献传递
- 地方高校《固体物理》教学的困惑与思考
- 2015年
- 社会在发展,对人才的定义也在发展,社会对高校提出了越来越高的要求。高校的办学规模扩大了,仅仅表示高校能够容纳更多的教育工作者和接受教育者。如何使得高校的内涵建设紧跟社会发展的步伐,甚至引导社会发展,成为高等学校目前的主要任务。
- 臧国忠王晓飞
- 关键词：固体物理石英晶体
- 一种双转子电动机
- 一种双转子电动机，包括转轴和套设在转轴的壳体，所述壳体的两端分别通过同心轴承与转轴连接，所述转轴由两个空心的半轴拼接组成，两半轴相对的端部分别设有一用于稳定该半轴的环形轴肩，两环形轴肩之间通过空心轴承Ⅰ嵌套设置，且位于外...
- 王丹丹周锋子王赵武臧国忠张伟英李立本贾雷王希瑞谢四楼黄海明王智博李志康李小红
- Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响被引量：2
- 2014年
- 研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。
- 吕本顺李立本臧国忠
- 关键词：压敏电阻二氧化锡势垒高度
