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胡正军
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上海集成电路研发中心
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相关领域:
电子电信
交通运输工程
文化科学
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合作作者
周炜捷
上海集成电路研发中心
姚嫦娲
上海集成电路研发中心
陈寿面
上海集成电路研发中心
李铭
上海集成电路研发中心
赵宇航
上海集成电路研发中心
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一种可改善化学机械研磨前薄膜均匀性的工艺方法
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及到一种可改善CMP(化学机械研磨)前薄膜均匀性的工艺。通过调节HDP CVD淀积时的淀积参数,并将HDP CVD和TEOS PECVD之后的薄膜叠加,从而有效地改善了CM...
胡正军
文献传递
一种后道互连工艺中空气隙的形成方法
本发明提供了一种后道互连工艺中空气隙的形成方法,其包括:提供一个具有后道互连膜层结构的半导体衬底;后道互连膜层结构从下向上依次为低K介质层和硬掩膜层;经光刻和刻蚀工艺,在低K介质层和硬掩膜层中刻蚀出通孔结构;经刻蚀,将低...
姚嫦娲
胡正军
林宏
王伟军
黄仁东
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硅光工艺和硅光器件
本发明提供了一种硅光器件以及制备所述硅光器件的硅光工艺。所述硅光器件包括衬底、硅波导、绝缘层和氮化硅波导。所述氮化硅波导经使用含硅前驱物、含氮前驱物和惰性气体进行高密度等离子体气相化学淀积反应得到,由于高密度等离子体气相...
胡正军
一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法,在超低介电材料的双大马士革集成工艺中,通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用,在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后,再采用无应力电化...
胡正军
李铭
陈寿面
赵宇航
周炜捷
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一种通孔结构的制作方法
本发明提供一种通孔结构的制作方法,包括在衬底上形成通孔结构;对通孔结构进行圆化处理,增大通孔结构顶部的开口面积,形成圆化通孔结构;在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层;在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制...
胡正军
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一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法,在超低介电材料的双大马士革集成工艺中,通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用,在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后,再采用无应力电化...
胡正军
李铭
陈寿面
赵宇航
周炜捷
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局部空气隙的形成方法
本发明公开了一种局部空气隙的形成方法,该方法包括:在衬底上沉积超低介电材料形成超低介电薄膜,并去除部分超低介电材料形成第一金属层;在所述第一金属层之上沉积超低介电材料形成另一超低介电薄膜并经等离子体处理形成过渡层;在所述...
胡正军
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硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法,包括:提供待清洗硅片,对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率,从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军
姚嫦娲
周炜捷
HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
本发明公开了一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气,后期开始通入氧气。作为对本发明的改进,所...
秦文芳
胡正军
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单片式清洗设备及其清洗方法
本发明的单片式清洗设备及其清洗方法,包括:旋转夹盘,用于固定半导体衬底,并带动半导体衬底进行旋转;位于半导体衬底上的喷嘴,用于将清洗液注入到旋转的半导体衬底上;位于半导体衬底上的含有负压装置的制具,用于将清洗液从旋转的半...
胡正军
周炜捷
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