翟光美
- 作品数：43 被引量：41H指数：3
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
- 2024年
- 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。
- 王艳林曹松余春燕周利通翟光美
- 关键词：空穴注入层空穴注入
- 低温电子传输层对钙钛矿太阳能电池性能的影响被引量：2
- 2020年
- 在TiO2,ZnO,SnO2三种低温电子传输层上,利用相同的钙钛矿薄膜沉积方法制备了钙钛矿太阳能电池,直接比较了三种电池的性能优劣,并从薄膜形貌、光学和电学性质等方面分析了造成性能差异的可能原因。结果表明:基于SnO2的钙钛矿太阳能电池由于高的短路电流密度(JSC=19.13 mA/cm^2)和填充因子(Ff=72.69%),具有最高的能量转换效率(PCE=14.74%),基于TiO2的电池次之(11.94%),ZnO基电池效率最低(9.03%).所制备的低温SnO2基钙钛矿太阳能电池与基于常规高温TiO2的钙钛矿电池具有相近的能量转化效率,从而使低温SnO2电子传输材料在柔性、低成本钙钛矿电池领域展示出巨大的应用潜力。
- 张彩峰高文辉高文辉张勇郑露露张华张华
- 关键词：SNO2能量转换效率
- Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的制备及性能研究
- 低维II-VI族半导体纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件和生物医药领域中的潜在应用价值成为当今纳米技术的研究热点。而形貌和粒度人工可控的II-VI族半导体材料的制备无论从基础研究还是应用的角度来看，...
- 翟光美
- 关键词：纳米材料回流法半导体材料包覆剂
- 文献传递
- 籽晶层对氧化锡纳米棒生长质量及其钙钛矿太阳能电池性能的影响被引量：1
- 2021年
- 利用SnCl_(2)·2H_(2)O和SnO_(2)纳米粒子为籽晶层前驱体分别生长SnO_(2)纳米棒,并作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池(PSCs)。综合利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见近红外分光光度计(UV-vis)、稳态光致发光光谱(PL)和伏安特性曲线(J-V)等表征技术,分析研究籽晶层前驱体对SnO_(2)纳米棒薄膜和钙钛矿薄膜的形貌、结构、光学性质、SnO_(2)/钙钛矿界面间的电荷转移能力以及电池性能的影响规律。结果表明:SnO_(2)纳米粒子相比SnCl_(2)·2H_(2)O能够形成更致密的籽晶层,从而更易于生长出平整、均匀的SnO_(2)纳米棒薄膜。沉积于以SnO_(2)纳米粒子为籽晶层的SnO_(2)纳米棒上的钙钛矿有源层具有更好的结晶质量和更强的光吸收性能,所制备电池的最高效率达到12.93%。本工作表明SnO_(2)纳米粒子是一种优异的生长SnO_(2)纳米棒薄膜的籽晶层材料,为制备高性能的基于一维电子传输材料的钙钛矿电池奠定了一定基础。
- 张勇张勇翟光美高领伟陈青任锦涛郁军许并社
- 关键词：电子传输层
- Ag作催化剂制备的SiC纳米材料的形貌及其发光性能被引量：1
- 2016年
- 用化学气相沉积法（CVD）通过碳热还原反应在Si（100）衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了糖葫芦状的SiC纳米棒。硅源为溶胶凝胶制备的SiO_2,碳源为炭粉。采用X射线分析衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、高分辨率透射电镜（HRTEM）、荧光光谱（PL）对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明,SiC纳米棒都其有周期性的凹凸,形状貌似糖葫芦状,长度范围为300~600 nm,而直径为30~50 nm。纳米结构生长机制为VLS生长模式,其中Ag催化剂对其形貌起到至关重要的影响。室温下SiC纳米棒的PL发光峰与块体SiC的发光特征峰相比有蓝移。
- 齐晓霞许并社翟光美梁建马淑芳
- 关键词：溶胶凝胶法显微结构
- 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明：增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
- 刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社
- 关键词：氮化镓
- 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
- 本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530‑580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
- 翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
- 文献传递
- ZnO/PbS量子点异质结太阳能电池结构调控研究被引量：1
- 2015年
- 利用氧化锌溶胶-凝胶(Sol-Gel)、锌盐乙醇溶液(ES)和氧化锌纳米粒子溶液(NP)三种不同的籽晶层前驱液,在ITO衬底上通过化学浴沉积方法(CBD)制备出了一维氧化锌纳米棒阵列薄膜,并在所制备的氧化锌纳米棒阵列薄膜上构筑了具有"三维"异质结结构的PbS量子点太阳能电池。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射光谱分析等研究了籽晶层对氧化锌纳米棒阵列薄膜形貌、结构和光学性质的影响;结合电池性能测试结果,比较分析了"三维"异质结结构和"平面"异质结结构对电池性能的影响。结果表明:在ES籽晶层上生长的氧化锌纳米棒阵列薄膜的取向性最好,Sol-Gel次之,NP最差;在ES和Sol-Gel籽晶层上生长2 h的样品透射率在80%左右;与"平面"异质结结构PbS量子点电池相比,基于氧化锌纳米棒阵列薄膜制备的"三维"异质结结构电池的短路电流可提高40%,表明"三维"异质结结构有利于载流子的分离和输运。
- 解镕玮翟光美王恒张继涛张华许并社
- 关键词：ZNO薄膜纳米棒阵列太阳能电池
- Mn^(2+)掺杂对低温生长ZnS的形貌及光致发光性能的影响被引量：3
- 2013年
- 以Zn粉和S粉为原料,Au纳米颗粒为催化剂,采用低温(450℃)化学气相沉积法(CVD),在Si(100)衬底上制备了未掺杂和Mn2+掺杂的ZnS微纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、能量弥散X射线谱(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)等测试手段对样品的结构、成分、形貌和发光性能进行了分析.结果表明,所得ZnS样品均为六方纤锌矿结构,未掺杂的ZnS为微纳米球,在波长为450和463 nm处有2个发光强度较大的蓝光峰;Mn2+掺杂ZnS为纳米线,在波长479和587 nm处分别有1个微弱的蓝光峰和1个强度相对较大的红光峰.此外,还对ZnS微纳米结构的形成过程进行了探讨,并提出了可能的形成机理.
- 王坤鹏翟化松章海霞翟光美董海亮许并社
- 关键词：光致发光化学气相沉积法
- 表/界面双重修饰提高钙钛矿太阳能电池性能
- 2023年
- 采用二维/三维(2D/3D)钙钛矿结构已被证明是提高钙钛矿太阳能电池综合性能的有效策略,但该策略通常要求表面2D修饰层厚度极薄致使其不能连续覆盖3D钙钛矿层,而未覆盖/修饰的3D钙钛矿表/界面则可能因仍然存在大量缺陷而影响器件性能。基于此,研发了一种简单有效的环己甲胺氢碘酸盐(CMI)+苯乙基碘化铵(PEAI)表/界面双重修饰策略,即利用PEAI修饰由CMI构建的2D/3D钙钛矿结构来实现更为充分的缺陷钝化和界面修饰。结果表明,CMI+PEAI双重修饰钙钛矿薄膜的表面粗糙度和缺陷态密度明显低于未处理和单一CMI表界面修饰的钙钛矿薄膜,分别降至11.3 nm和2.29×10^(15)cm^(-3),且该双重修饰方法将钙钛矿薄膜的光生载流子寿命提高至45.1 ns,并有效促进了钙钛矿/空穴传输界面处的电荷提取,最终使太阳能电池的性能参数得到明显提升。CMI+PEAI双重修饰太阳能电池的平均能量转化效率为20.12%±0.35%,明显优于未处理器件(16.79%±0.57%)及单一CMI表/界面修饰器件(18.81%±0.34%),同时也展现出了最佳稳定性。该研究提供了一种更为充分、有效的钙钛矿表界面修饰/钝化策略,有助于进一步提高钙钛矿太阳能电池的综合性能。
- 霍宇吴治昕周利通余春燕翟光美
