罗睿宏
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中山大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 2008年
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 一种新型垂直结构的硅基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和...
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- 关键词：SI衬底绿光LED电流扩展
- 文献传递
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层...
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- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 文献传递
- 侧入直下式背光模组
- 本发明涉及背光模组技术领域，公开了一种侧入直下式背光模组，它包括侧入光源、侧入直下转换结构和扩散板，侧入光源位于侧入直下转换结构的侧端，扩散板位于侧入直下转换结构上端。本发明由于光源是侧面放置，模组能做的更薄；但经过转换...
- 王钢罗睿宏
- 文献传递
- Si衬底GaN基材料生长及器件研究
- 罗睿宏
- Si衬底GaN基薄膜的生长方法
- 本发明公开了一种Si衬底GaN基薄膜的生长方法，在AlN缓冲层等中间结构生长完成后，调节金属有机化学气相沉积系统反应腔压强至50—150mbar，将衬底加热至900－1200℃，生长一高温低压GaN插入层，再在该插入层上...
- 张佰君罗睿宏向鹏刘扬
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