窦亚楠
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划上海市国际科技合作基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
- 本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔...
- 窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
- 甲烷流量对8.5代非晶硅光伏组件P层材料结构和光学性质的影响(英文)
- 2012年
- 本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合气体在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)设备中沉积制得,该设备是应用材料公司制造的尺寸为2.2 m×2.6 m的8.5代系统.采用红外光谱和透射/反射谱分析与沉积工艺相关的键结构和光学性质.相同工艺条件下,当甲烷含量从3000 sccm增加到8850 sccm,p层非晶碳化硅薄膜的光学带隙逐步增加.p层非晶碳化硅薄膜的沉积速率随甲烷流量的增加而逐渐减小,其原因是硅烷-甲烷等离子体中SiH3粒子的减少.文中还通过在不同位置取样和分析沉积速率研究了大面积薄膜的均匀性.
- 窦亚楠何悦马晓光乔琦陈肖静王永谦陈绍斌褚君浩
- 关键词：红外光谱均匀性
- 热原子层沉积氧化铝对硅的钝化性能及热稳定性被引量：6
- 2012年
- 原子层沉积氧化铝已经成为应用于钝化发射极和背面点接触(PERC)型晶硅太阳能电池优异的钝化材料.对于基于丝网印刷技术的太阳能电池,钝化材料的钝化效果及其热稳定性是非常重要的.本文在太阳能级硅片上用热原子层沉积设备制备了20nm和30nm的氧化铝,少子寿命测试结果显示初始沉积的氧化铝薄膜具有一定的钝化效果,在退火后可达到100μs以上,相当于硅表面复合速度小于100cm/s.经过制备传统晶硅太阳能电池的烧结炉后,少子寿命能够保持在烧结前的一半以上,可应用于工业PERC型电池的制备.通过电子显微镜观察到了较厚的氧化铝薄膜有气泡,解释了30nm氧化铝比20nm氧化铝钝化性能和稳定性更差的异常表现.
- 何悦窦亚楠马晓光陈绍斌褚君浩
- 关键词：表面钝化氧化铝
- 一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池
- 本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非...
- 褚君浩窦亚楠何悦王永谦马晓光
- 文献传递
- 一种晶体硅太阳电池及其制备方法
- 本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧...
- 褚君浩窦亚楠何悦王建禄马晓光
- 文献传递
- 带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法
- 本发明公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为...
- 褚君浩窦亚楠何悦王永谦马晓光
- 文献传递
- 硅基薄膜太阳电池研究进展被引量：7
- 2010年
- 硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观结构、光学和电学特性,讨论了硅基薄膜电池性能的优化设计,并介绍了近期的研究进展情况,比如,氢化非晶硅抗反射涂层、晶粒为几个纳米的微晶硅材料、中间插入反射层的新型叠层电池结构以及具有高稳定性的多晶硅薄膜电池CSG。
- 窦亚楠褚君浩
- 关键词：氢化非晶硅多晶硅薄膜
- 一种晶体硅太阳电池及其制备方法
- 本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧...
- 褚君浩窦亚楠何悦王建禄马晓光
- 一种背面点接触晶体硅太阳电池
- 本专利公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的...
- 窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
- 文献传递
- 沉积温度和激光刻线功率对a-Si材料H含量及电池组件效率的影响被引量：1
- 2012年
- 系统研究了非晶硅本征层的沉积温度和激光刻线功率对薄膜电池组件性能的影响。各非晶硅薄膜(P层、I层和N层)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备。I层的光学带隙随着沉积温度的升高而降低,同时也引起电池转换效率的变化。采用傅里叶红外分析检测I层的H含量及键合方式,H含量及键合方式的变化是引起光学带隙变化的根本原因。激光刻线的形貌采用光学显微镜作微观分析,而采用不同激光功率刻线后,薄膜电池的性能也有所差异,结果显示7.5μJ是最合适的功率。
- 何悦窦亚楠王奇荣道兰马晓光陈绍斌
- 关键词：非晶硅薄膜光学带隙激光功率
