石红
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 基于0.13μm CMOS工艺的14位50MS/s流水线ADC被引量：1
- 2018年
- 设计并实现了一种14位50 MS/s流水线ADC。采用无采保放大器的前端电路和运放共享技术,在达到速度及精度要求的同时降低了功耗。该流水线ADC采用0.13μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.7mm×2.1mm。在电源电压为1.2V、采样速率为50 MS/s、模拟输入信号频率为28 MHz的条件下进行测试。结果表明,该ADC的功耗为91.2mW,SFDR为82.39dBFS,SNR为72.45dBFS,SNDR为71.13dB,ENOB为11.52bit,THD为-81.28dBc,DNL在±1LSB以内,INL在±3LSB以内,品质因子FOM为0.62pJ/step。
- 詹勇石红魏娟周晓丹郭亮
- 关键词：流水线ADC运放共享
- 一种单片功率集成电路的器件和工艺设计考虑
- 本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介质隔离和CMOS/LDMOS兼容工艺实现了电路功...
- 考虑谭开洲石红杨国渝冯建刘勇
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究
- 2006年
- 介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。
- 石红谭开洲蒲大勇冯建
- 关键词：专用集成电路D/A转换器SOI
- 一种单刀双掷高速模拟开关的研制被引量：8
- 2006年
- 介绍了一种单刀双掷高速模拟开关;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计。该高速模拟开关具有速度快、功耗低、隔离度高、关断漏电流小等特点。其内部电路设计有控制输入级、电平转换级、高速模拟开关管及静电保护电路。该电路可广泛应用于雷达接收机和发射机、通信系统和数据采集系统,以及通用模拟开关等领域。
- 苏晨张世文石红
- 关键词：高速模拟开关模拟集成电路
- 一种检测控制电路的正向设计
- 本文对 一种检测控制电路的正向设计进行了研究。文章介绍了一种具有同时检测10个电平信号,输出为0～5V负脉冲信号,同时还具有将其它信号进行放大功能的检测电路.
- 石红谭开洲周玉涛
- 关键词：检测电路
- 文献传递
- 32段液晶显示驱动器的设计
- 1998年
- 介绍了一个能驱动多种显示器的驱动电路——３２段液晶显示驱动器——的工作原理；提出了驱动器的主要性能参数以及为达到这些参数要求而进行的设计考虑。最后，给出了设计结果。
- 石红
- 关键词：驱动器显示器大规模集成电路CMOS液晶显示
- 一种实用的曲率补偿带隙基准电压源被引量：6
- 2007年
- 介绍了一种带隙基准电压源二阶曲率补偿技术及其在传统双极工艺中的实现。与传统带隙基准电压源相比，这种结构只需增加几个电阻，便可极大地改善温度特性。Hspice仿真结果表明，在-55～125℃范围内，温度系数可以减小到7ppm／℃这种结构可通过其他IC工艺实现，具有极高的实用价值。
- 胡波李骏廖良石红曾莉
- 关键词：曲率补偿带隙基准电压源模拟集成电路
- 一种内含D/A转换器的铁氧体驱动器的正向设计
- 2004年
- 介绍了一种用于相控阵雷达的低功耗铁氧体驱动器和功率MOS管的电路设计,工作在9V时,其功耗小于18mW。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路。
- 石红蒲大勇
- 关键词：D/A转换器相控阵雷达触发器
- 多路检测控制电路的抗总剂量加固技术研究
- 介绍了一种具有同时检测10个电平信号,输出为0～5V负脉冲信号,同时还具有将其它信号进行放大功能的检测电路。
- 石红谭开洲
- 关键词：电平信号
- 文献传递
- 一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
- 2004年
- 介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。
- 谭开洲石红杨国渝胡刚毅蒲大勇冯健毛儒炎
- 关键词：智能功率集成电路SOICMOSLDMOSVDMOS
