石少波 作品数:20 被引量:36 H指数:4 供职机构: 天津职业技术师范大学理学院 更多>> 发文基金: 天津市自然科学基金 国家自然科学基金 天津市教育科学“十一五”规划课题 更多>> 相关领域: 理学 文化科学 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
动手操作分析电场和磁场方向 2019年 结合大学物理中电场和磁场方向判断这类重要问题,采用简单而形象的动手操作方法分析电场和磁场方向.旨在构建体现应用技术型大学"动手动脑"的办学理念,适合应用型大学学生特点的大学物理课程体系提供思路,为应用技术型大学基础理论课程的教学改革提供借鉴. 石少波关键词:大学物理 动手动脑 对称性 从《大学物理》教学看职业教育立交桥的构建 被引量:3 2010年 教育“立交桥”是职业教育发展的基本趋势和高等教育发展的必然需要。通过多年的中职生源本科生的教学改革实践.具体比较了中职毕业生与普通高中毕业生的智力差异和能力差异,深入分析中职生源本科生学习《大学物理》的困难,探索出适合中职生源本科生学习的课程模式,为教育“立交桥”的构建过程中具体的课程操作方式提供了好的范式。 郭力 王文槿 石少波关键词:职业教育 大学物理 教学改革 次近邻简立方格子键渗流模型的重整化群方法研究 2008年 采用实空间重整化群方法,对次近邻简立方格子键渗流模型进行了研究,得到了临界值Pc、模型在相变点的临界指数ν。最后说明了所得结果的合理性。 石少波 郭力关键词:次近邻相互作用 重整化群方法 大学物理教学渗透人文教育的实践与思考 被引量:5 2010年 人文教育是素质教育的重要组成部分。本文分析了大学物理教学的特点及其在人文教育方面的优势,并就如何在大学物理教学中渗透人文教育的具体途径作了探讨。 石少波 郭力关键词:大学物理 人文教育 素质教育 Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响 被引量:7 2010年 通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4~5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。 徐建萍 石少波 张晓松 李岚正方格子和Sierpinski地毯上断裂模型的比较 2010年 用实空间重整化群方法研究了正方格子和Sierpinski地毯上断裂模型的临界行为,得到相应的临界值和与长度有关的临界指数。不同格子上同种相变模型临值的大小决定于格子的内部联结方式,临界指数不同说明它们属于不同的普适类。 石少波关键词:SIERPINSKI地毯 重整化群方法 技校生源本科《大学物理》教学改革探索 被引量:2 2010年 相对于普通高中生源,技校生源学生具有人际交流能力强、专业思想牢固,文化基础、学习能力、数量逻辑能力较差,基础学科学习自信心不足等特点。技术本科院校中的《大学物理》属通识教育基础课程,面向技校生源实施《大学物理》教学,教师应充分发挥学生人际交流能力强、专业思想牢固的优势,采取对话式教学、实践操作式教学、自组模块式教学等,激发学生学习自信心,培养学生的独立学习能力。 郭力 郭建军 石少波关键词:大学物理 教学改革 二维正方晶格上一种新的自回避行走模型的重整化群方法 2009年 提出了一种新的自回避行走模型(飞蚁模型),用重整化群方法计算了该模型的临界值和分形维数,分别为Kc=0.511 938,df=0.879 199,并和真实自回避行走(TSAW)模型的结果相比较,证明了所得结果的合理性. 石少波关键词:正方晶格 重整化群方法 分形维数 类DLVO理论与胆固醇单水结晶形成过程 被引量:1 2005年 就人体胆汁胆固醇单水结晶形成过程提出了类DLVO理论,应用该理论初步阐明了其结晶过程可能的化学物理机制,并分析了该理论在促、抗成核因子及溶石方面的意义。 石少波关键词:相互作用势 胆结石 ZnS修饰对ZnO纳米棒:P3HT复合薄膜I-V性质的影响 2013年 本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了具有ITO(indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件.通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压,串联电阻,反向漏电流及整流比等参数,认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低,整流比显著增强,展现出更优异的电子传输性能.光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制,弱化了电场激发下的载流子陷获,改善了器件的导电特性. 王丽师 徐建萍 石少波 张晓松 任志瑞 葛林 李岚关键词:ZNO纳米棒阵列 表面修饰 电压特性