眭永兴
- 作品数：75 被引量：40H指数：4
- 供职机构：江苏理工学院更多>>
- 发文基金：江苏省高等教育教改立项研究课题江苏省教育科学“十二五”规划项目江苏省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
- 本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为Sb<Sub>x</Sub>A<Sub>y</Sub>；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.0...
- 邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪孙月梅郑龙吴世臣袁丽吴卫华眭永兴
- 文献传递
- 用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期...
- 胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
- 文献传递
- 一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
- 本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲...
- 朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
- 文献传递
- 用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期...
- 胡益丰潘佳浩吴小丽朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴
- 文献传递
- 双振动合成仪器的设计
- 2003年
- 指出了用示波器演示双振动合成的不足,设计了BS-Ⅱ型双频调相信号仪,并给出了应用该仪器获得 的部分实验图象.
- 眭永兴
- 关键词：物理教学实验教学示波器相位差简谐振动
- NI Multisim12.0在电学物理实验中的应用被引量：4
- 2013年
- 对工科类中基础知识扎实和实验技能较好的学生而言,传统的电学物理实验已经不能满足其学习的需求,为此,将现代软件技术和测量技术应用到了电学物理实验中。教学实践表明:软件仿真技术可以激发学生的学习动力,加深对理论知识的理解,同时可以提高实验效率和教学质量。
- 吴卫华朱小芹眭永兴
- 关键词：O暂态过程
- 三明治结构锑硒-锑-锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
- 本发明公开一种三明治结构锑硒‑锑‑锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用，薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为SbSe(a)/Sb(b)/SbSe(a)，其中a和b分别表示SbSe薄膜和Sb薄膜的厚度，且17≤a≤...
- 吴卫华朱小芹眭永兴
- 一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料及其制备方法
- 本发明公开了一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其组分表达式为Ln<Sub>x</Sub>(Zn<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</Sub>，其中x，y，i,j为原子百分比，0<...
- 邹华张建豪胡益丰朱小芹孙月梅郑龙眭永兴
- 文献传递
- 企业在高职教育发展中的角色分析
- 2014年
- 在高职教育发展中,企业是最大享受职业教育成果的受益者,同时,企业也是高职教育发展的重要责任者,要引领高职院校发展;指导高职院校人才培养工作;要积极参与高职院校课程建设等。此外,企业还应是企业文化的积极传播者。
- 孙静华眭永兴
- 关键词：企业高职教育
- 用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>层和Sb层...
- 邹华胡益丰朱小芹眭永兴郑龙吴卫华吴世臣袁丽薛建忠张剑豪
