王书昶
- 作品数：9 被引量：27H指数：3
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技支撑计划项目江苏省科技厅基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- ITO:Mo透明导电薄膜的制备被引量：4
- 2012年
- 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。
- 张春伟王书昶刘振华刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜PLDTCO
- 钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性被引量：3
- 2011年
- 以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐尖晶石相ZnSm2O4.特别研究了样品Zn0.97Sm0.03O的表面形貌与成型压力之间的关系和晶粒尺寸、相对密度、电阻率随烧结温度的变化关系.结果表明:成型压力为5 MPa时样品缺陷最少,当烧结温度为1 300℃时,用四探针测试仪测得样品电阻率的最小值为4.78×10-2Ω.cm,用阿基米德排水法测得样品的相对密度超过95%;用振动样品磁强计(VSM)测量陶瓷样品磁化强度与磁场强度之间的关系,表明样品在室温下均呈现顺磁行为.
- 刘振华何军辉刘宝琴张春伟王书昶刘丽军曹永珍
- 关键词：氧化锌陶瓷掺杂陶瓷固相烧结电磁性质
- GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
- 2011年
- 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
- 董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管光电性能
- 退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当退火温度为500℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为1.46×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最高分别为6.56×1020cm-3、65cm2/(V.s),在可见及近红外区平均透过率达92%以上,尤其当波长为362nm时,最高透射率可达99%。
- 刘振华刘宝琴张春伟王书昶刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜脉冲激光沉积退火温度光电性能
- 透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究被引量：2
- 2012年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。
- 刘振华刘宝琴张春伟王书昶刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜脉冲激光沉积光电性能
- 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量：12
- 2010年
- 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
- 张俊兵林岳明范玉佩王书昶曾祥华
- 关键词：光提取效率ICP
- 衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响被引量：3
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。
- 王书昶张春伟刘振华刘拥军何军辉
- 关键词：脉冲激光沉积衬底温度光电性能
- 用于高亮LED的Si键合研究
- 2010年
- 在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。
- 王书昶林岳明李伙全刘剑霜张俊兵金豫浙曾祥华
- 关键词：发光二极管
