牛毅君
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：河南省教育厅自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 缺陷黄铜矿结构XGa_2S_4(X=Zn,Cd,Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：3
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对缺陷黄铜矿结构XGa2S4(X=Zn,Cd,Hg)晶体的晶格结构、电学以及光学性质进行了对比研究.分析比较了它们的晶格常数、键长、能带结构、态密度、介电函数、折射率和反射系数等性质,并总结其变化趋势.结果表明:这三种材料的光学性质在中间能量区域(4eV—10eV)表现出较强的各向异性,而在低能区域(<4eV)和高能区域(>10eV)各向异性较弱.ZnGa2S4和HgGa2S4两种材料的折射率曲线在等离子体频率ωp处有一明显的拐点,反射系数在ωp处达到最大值后急剧下降.三种晶体的强反射峰均处于紫外区域,因此可以用作紫外光屏蔽或紫外探测材料.
- 焦照勇郭永亮牛毅君张现周
- 关键词：光学性质第一性原理计算
- 过渡金属M(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和光学性质
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对ZnS和掺杂过渡金属V,Cr,Mn的ZnS超晶胞结构进行结构优化,计算了掺杂前后的电子结构和光学性质,对结果进行了比较分析.结果表明:掺杂系统在费米能级附近出现了不对称的现象,这部分的态密度主要由过渡金属的3d态贡献;ZnS和掺杂过渡金属V,Cr,Mn的ZnS系统的光学性质在低能区域有较大的差异,与ZnS相比,掺杂系统的吸收边发生红移.
- 牛毅君焦照勇沈克胜
- 关键词：第一性原理计算ZNS电子结构光学性质
- 过渡金属TM(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和磁性被引量：2
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,对过渡金属V、Cr、Mn掺杂ZnS的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.研究结果表明:掺入V,Cr后,ZnS表现出明显的半金属性,而掺入Mn后,半金属性不明显;掺入过渡金属TM(V,Cr,Mn)后系统产生的磁矩主要有杂质的3d态电子贡献,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关.
- 牛毅君杨聚宝焦照勇沈克胜张现周
- 关键词：电子结构第一性原理计算
