游斌
- 作品数：16 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西南应用磁学研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度石榴石型铁氧体单晶材料
- 本发明公开了一种小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度石榴石型铁氧体单晶材料，其配方主成分是以摩尔百分比计的如下组分：Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>（20.8～20.2%）、In<Sub>2</Sub...
- 魏占涛帅世荣李俊刘庆元李阳游斌聂勇肖礼康蓝江河
- 掺杂Li铁氧体单晶材料生长研究
- 本文详细介绍了Li铁氧体尖晶石单晶材料研制的目的：在微波单晶器件研制和发展中的重要地位和国内外情况;介绍了用加速坩锅旋转助熔剂生长法进行掺杂Li铁氧体单晶材料生长实验和后加工工艺实验及结果.采用PbO-B2O3-Bi2O...
- 游斌罗建成陈运茂袁力
- 关键词：锂铁氧体单晶材料饱和磁化强度铁磁共振线宽
- 文献传递
- BiCaInVIG铁氧体单晶材料生长研究
- 介绍了BiCalnVIG在微波单晶器件研制和发展中的重要地位;介绍了掺杂BiCaVIG铁氧体单晶材料生长实验结果.通过配方设计和多种生长控制手段,采用PbO-Bi203作助熔剂,生长的掺In的BiCaVIG铁氧体单晶,其...
- 游斌陈运茂姜帆
- 关键词：参数优化微波性能
- 一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法
- 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后...
- 帅世荣李阳李俊魏占涛刘庆元陈运茂游斌蓝江河肖礼康
- 一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法
- 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后...
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- 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法
- 本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF<Sub>2</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>助熔剂体系生长尖晶...
- 刘庆元帅世荣魏占涛李阳李俊游斌陈运茂陈敏肖礼康蓝江河
- 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法
- 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理...
- 帅世荣李阳李俊魏占涛刘庆元陈运茂游斌蓝江河肖礼康
- 低饱和磁化强度、小线宽石榴石铁氧体单晶材料的可控制备
- 2021年
- 利用助熔剂法制备了不同In、V掺杂浓度的BiCaInV铁氧体单晶材料。通过X射线荧光光谱分析获得了不同掺杂离子的浓度,发现随着V离子浓度的增加,In离子的掺杂浓度明显减小。借助透射电子显微镜测试揭示了In离子对BiCaInV的晶胞起着主导作用,且随着In离子掺杂浓度的减小,BiCaInV单晶的晶面间距逐渐减小。进一步通过振动样品磁强计表征了单晶样品的磁学性能,结果表明随着In离子掺杂浓度的减小,饱和磁化强度、居里温度均逐渐增加,共振线宽逐渐减小。与其他BiCaInV单晶相比,该单晶不仅具有较低的饱和磁化强度和温度系数,还拥有更小的共振线宽(<80 A/m),线宽最小值可达42.22 A/m。因此实现了低饱和磁化强度、超小线宽BiCaInV石榴石铁氧体单晶材料的可控制备,为BiCaInV单晶在低频微波器件中的应用开拓了更广阔的前景。
- 姜帆游斌蓝江河魏占涛熊政伟
- 关键词：饱和磁化强度线宽石榴石单晶
- 一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法
- 本发明公开了一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，所述方法为通过Ge<Sup>4+</Sup>离子掺杂并采用PbO助熔剂生长石榴石Bi<Sub>3‑2<I>x‑y</I...
- 刘庆元帅世荣左林森李阳李俊蒋金秀魏源游斌杨天颖肖礼康蓝江河
- 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法
- 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理...
- 帅世荣李阳李俊魏占涛刘庆元陈运茂游斌蓝江河肖礼康
