汪建元
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法
- 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和...
- 陈松岩张小英汪建元赖虹凯
- 文献传递
- 激光退火改善Si上外延Ge晶体质量
- 由于Si和Ge有着高达4.2%的晶格失配度,在Si衬底上外延低位错密度的Ge仍然是一个很大的挑战。为了在Si衬底上异质外延出高质量的Ge层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄...
- 黄志伟易孝辉毛亦琛林光杨李成陈松岩黄魏汪建元
- 文献传递
- 面向Si上Ge材料垂直腔面发射激光器的设计
- 基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED)。发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存...
- 林光杨毛亦琛王佳琪李成陈松岩黄巍李俊汪建元
- 关键词：多量子阱材料电流密度
- 文献传递
- 简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟
- 2017年
- 基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显著提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显著提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.
- 汪建元林光杨王佳琪李成
- 关键词：掺杂
- 在硒化后的Si(001)表面生长Si量子点
- 本文在UHVCVD系统中，利用硒(Se)原子硒化Si(001)表面，获得SiSe超薄层，运用Volmer-Weber生长机理在硒化的Si(001)表面外延Si量子点。
- 潘书万陈松岩李成黄巍汪建元赖虹凯
- 关键词：SI(001)
- 生长气压对分子束外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响被引量：1
- 2022年
- 本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响。X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向。并且,其结晶质量和生长速率均随生长气压增大而逐渐提高。通过X射线光电子能谱分析发现,生长气压增大使得氧空位的浓度大幅下降,高价态Ga比例增大,最终使得O/Ga原子数之比接近理想Ga_(2)O_(3)材料的化学计量比值。利用Tauc公式和乌尔巴赫带尾模型进行计算,结果表明随着生长气压的增大,样品的光学带隙由4.94 eV增加到5.00 eV,乌尔巴赫能量由0.47 eV下降到0.32 eV,证明了生长气压的增大有利于降低薄膜中的缺陷密度,提高薄膜晶体质量。
- 蔡文为刘祥炜王浩汪建元郑力诚王永嘉周颖慧杨旭李金钗李金钗康俊勇
- 关键词：分子束外延缺陷密度晶体质量光学特性
- Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制被引量：1
- 2015年
- 采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。
- 汪建元陈松岩李成
- 关键词：自组织生长
- 硅基锗薄膜选区外延生长研究被引量：5
- 2015年
- 利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层和选区外延技术,在Si/Si O2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律.测试结果显示,位错密度随着图形衬底外延窗口的尺寸减小而减少,Ge层中的张应变随窗口尺寸的增大先增大而后趋于稳定.其原因是选区外延Ge在图形边界形成了(113)面,减小了材料系统的应变能,而单位体积应变能随窗口尺寸的增加而减少;选区外延厚度为380 nm的Ge薄膜X射线衍射曲线半高宽为678′′,表面粗糙度为0.2 nm,表明选区生长的Ge材料具有良好的晶体质量,有望应用于Si基光电集成.
- 汪建元王尘李成陈松岩
- 关键词：超高真空化学气相沉积锗
- 利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜
- 采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜。制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜。
- 张璐王一森李成陈松岩黄巍汪建元
- 关键词：磁控溅射表面形貌
- 文献传递
