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毛峥

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：解放军理工大学理学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇移动通信
  • 2篇通信
  • 2篇频率合成器
  • 2篇合成器
  • 2篇多址
  • 1篇调频
  • 1篇调频信号
  • 1篇信号
  • 1篇性能模拟
  • 1篇直接数字频率
  • 1篇直接数字频率...
  • 1篇直接数字频率...
  • 1篇时分多址
  • 1篇数字频率合成
  • 1篇数字频率合成...
  • 1篇通信系统
  • 1篇频率源
  • 1篇线性调频
  • 1篇芯片
  • 1篇码分

机构

  • 4篇北京理工大学
  • 2篇解放军理工大...

作者

  • 4篇毛峥
  • 4篇孟令琴
  • 3篇费元春
  • 1篇李有科
  • 1篇陈宁

传媒

  • 2篇电子技术（上...
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
时分多址(TDMA)通信系统频率源的研制
2003年
频率合成器是现代电子系统的重要组成部分 ,在通信、雷达、电子对抗、导航、广播电视、遥测遥控、仪器仪表等许多领域都得到广泛的应用。在雷达等通信设备中 ,它为发射机的调制器提供载频信号 ,也为接收机或发射机的混频器提供稳定可靠的本振源。该锁相频率合成器体积小、成本低、通用性强、使用灵活方便 ,频率控制可以通过硬件 (面板 )实现 ,也可以通过软件写入 ,工作频带 :3 80～ 4 40 MHz,频率步进 1 .2 5 MHz,输出功率≥7d Bm,相位噪声≥ -95 d Bc/Hz/1 0 k Hz。该频率合成器双路输出 ,收、发双工工作 ,已成功地用于时分多址 (TD-MA)
孟令琴费元春毛峥
关键词：时分多址TDMA通信系统频率源频率合成器移动通信
SiGe PMOSFET性能模拟被引量：1
2003年
由于受热力学基本定律的限制 ,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限 ,而 Si Ge材料的引入使得占据小于 1GHz频段的 Si产品可以进一步覆盖 2～ 30 GHz的 RF和无线通信市场。根据前人的材料研究工作 ,在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,进一步研究长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,引入了插值所得的近似因子以修正 silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后依据修正后的模型对 Si Ge
孟令琴费元春毛峥
关键词：SIGEPMOSFET性能模拟
DDS芯片STEL-1180及其在非线性调频中的应用
2002年
文章介绍了直接数字频率合成芯片STEL 1180的特点、结构、功能 ,并讨论了用它产生非线性调频信号的方法。电路结构简单 ,精度高。
毛峥孟令琴
关键词：DDS芯片非线性调频直接数字频率合成器调频信号
AD6622在WCDMA中的应用被引量：1
2001年
AD662 2四通道TSP设计用来连接DSP和高速DAC。其内部每个滤波器都包含大范围内插因子 ,使AD662 2可以被用来在同一个高速采样流中实现窄带或宽带载波。高分辨率的数控振荡器保证频率规划的灵活性并支持数字 /模拟空中接口。基于RAM的结构使重新配置和多模式应用易于实现。同时采用AD662 2中的 4个TSP传输 3.84Mbit/s的数据 ,很好地满足了WCDMA系统时钟要求 ;整个系统的主时钟最高到 75Mbit/s。
孟令琴毛峥陈宁费元春李有科
关键词：WCDMA移动通信码分多址
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