毕志伟
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
- 本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
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- 文献传递
- Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果.
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- 关键词：AL2O3钝化
- High-K介质栅GaN MTS-HEMT器件及关键机理研究
- 论文首先优化了原子层淀积(ALD)的生长工艺,在此基础上使用ALD法制作了高质量的Al2O3和HfO2介质。对于生长厚度为500?的Al2O3层,五个测试点之间的标准差能够稳定在1.5左右,均匀性极佳。研究了不同生长厚度...
- 毕志伟
- 关键词：原子层淀积HIGH-K界面态密度质子辐照
- 立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析被引量：3
- 2010年
- 在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量。
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- 关键词：MOCVD热分析
- 氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析被引量：8
- 2010年
- 在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性。
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- 关键词：GAN生长MOCVD数值仿真
- 场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究被引量：3
- 2011年
- 通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌.
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- 关键词：电流崩塌
- a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
- 本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
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