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杨颙

作品数:15 被引量:53H指数:3
供职机构:安徽建筑工业学院材料与化学工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院科研项目更多>>
相关领域:理学机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 15篇理学
  • 7篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇散射
  • 4篇受激
  • 4篇受激布里渊散...
  • 4篇过渡态
  • 4篇反应机理
  • 4篇布里渊散射
  • 4篇从头计算法
  • 3篇相位共轭
  • 3篇激光
  • 2篇电子密度
  • 2篇电子密度拓扑...
  • 2篇谱学
  • 2篇腔增强吸收光...
  • 2篇自然键轨道
  • 2篇自然键轨道分...
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱学
  • 2篇O(^3P)
  • 1篇对流层
  • 1篇乙烷

机构

  • 13篇中国科学院
  • 3篇安徽建筑工业...
  • 1篇南京信息工程...

作者

  • 15篇杨颙
  • 13篇张为俊
  • 12篇邵杰
  • 10篇高晓明
  • 9篇裴世鑫
  • 8篇黄伟
  • 3篇屈军
  • 3篇葛传文
  • 3篇聂劲松
  • 3篇刘安玲
  • 2篇苏红
  • 2篇崔芬萍
  • 2篇汪震
  • 2篇王沛
  • 1篇李伟正
  • 1篇王世兴
  • 1篇赵卫雄
  • 1篇黄腾
  • 1篇胡欢陵
  • 1篇樊宏

传媒

  • 5篇Chines...
  • 3篇量子电子学报
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇化学学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇材料导报
  • 1篇大学化学
  • 1篇光学与光电技...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
激光诱导荧光法测量OH自由基中激光产生的OH自由基转动能级布居及其对测量的影响被引量:3
2001年
对激光诱导荧光法测量对流层OH自由基时 ,激光与大气中的臭氧及水蒸气作用产生的OH自由基的转动态分布及其随时间的演化进行了研究 ,并对新生的OH自由基对荧光信号的干扰强度进行了讨论。
聂劲松张为俊杨颙王沛程平邵杰葛传文胡欢陵
关键词:OH自由基激光诱导荧光光化学对流层
N-H…O红移氢键和蓝移氢键的理论研究被引量:25
2006年
用理论方法研究了复合物HCHO…HNO,HCOOH…HNO,HCHO…NH3,HCOOH…NH3, HCHO…NH2F和HCOOH…NH2F分子间氢键.在MP2/6-31+G(d,p),MP2/6-311++G(d,p),B3LYP/6-31+G(d,p)和B3LYP/6-311++G(d,p)水平上,利用标准方法和均衡校正方法对6种复合物进行了几何优化和振动频率计算.计算结果表明:在复合物HCHO…HNO和HCOOH…HNO中,HNO中N-H键强烈收缩,存在显著的N-H…O蓝移氢键.在复合物HCHO…NH3,HCOOH…NH3, HCHO…NH2F和HCOOH…NH2F中,NH3和NH2F中N-H键伸长,存在N-H…O红移氢键.利用自然键轨道(NBO)分析表明,电子供体轨道和电子受体轨道之间相互作用的稳定化能、电子密度重排、轨道再杂化和结构重组是决定氢键红移和蓝移的主要因素.其中,轨道间稳定化能属于键伸长效应,电子密度重排、轨道再杂化和结构重组属于键收缩效应.在复合物HCHO…HNO和HCOOH…HNO中,由于键收缩效应处于优势地位导致N-H…O蓝移氢键存在.在复合物HCHO…NH3,HCOOH…NH3,HCHO…NH2F和HCOOH…NH2F中,键伸长效应居于主导地位, N-H…O红移氢键出现.
杨颙张为俊裴世鑫邵杰黄伟高晓明
关键词:蓝移氢键电子密度拓扑分析自然键轨道分析
CH3CH2+O(^3P)反应机理的理论研究
2005年
利用abinitio方法对CH3CH2+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型和谐振频率,并在QCISD(T)/6311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明:CH2O+CH3、CH3CHO+H和CH2CH2+OH是主要反应产物,其中CH2O+CH3主要来自反应通道A1:(R)→IM1→TS3→(A),CH3CHO+H主要来自反应通道B1:(R)→IM1→TS4→(B),CH2CH2+OH主要来自直接抽提反应通道C1和C2:(R)→TS1(TS2)→(C).计算结果同时表明该反应生成CO的通道能垒是非常高的,CO应该不是主要产物.
杨颙张为俊高晓明裴世鑫邵杰黄伟屈军
关键词:从头计算法反应机理过渡态
Au(111)电极表面溴离子吸附诱导的表面应力的理论研究
2009年
以Br-为例,应用格子气模型,建立了阴离子吸附层对Au(111)电极表面应力贡献的统计热力学理论,计算了吸附层Br-间的相互作用能及表面应力的贡献。计算结果表明,总的表面应力是压缩性的;在高覆盖度区域,表面应力与覆盖度近似呈直线关系;在表面吸附层应力的多种物理起源中,通过底物的分子间作用力有着决定性的贡献,揭示了分子的吸附能间接地起着重要作用。
谢蓉杨颙
关键词:表面应力分子间作用力
YAG复合型相位共轭腔对改善光束模式的研究被引量:2
2004年
如何降低受激布里渊散射(SBS)相位共轭腔的启动阈值以及如何提高输出光束的质量一直是人们关心的课题。报道了在YAG激光器上运行一种复合型受激布里渊散射相位共轭激光腔,该腔能够输出模式优良的光束。最大能够输出13.35mJ的单纵模,脉冲半高宽度约为15ns,输出光束的发散角为0.6mrad。实验给出了不同参量条件下的输出脉宽、能量及远场光斑分布和干涉环的情况,表明利用复合型相位共轭腔是改善光束模式的一种简单有效的方法。
屈军张为俊高晓明刘安玲黄伟裴世鑫杨颙李伟正邵杰
关键词:非线性光学受激布里渊散射复合腔相位共轭
基于DFB型半导体激光器的腔增强吸收光谱研究被引量:7
2005年
介绍了用DFB型可调谐半导体激光器做光源的腔增强吸收光谱(TDL-CEAS)技术.简要介绍了腔增强吸收光谱的发展和实验设计,从法布里-珀罗腔的角度解释了腔增强吸收光谱的有效吸收路径,阐述了腔增强吸收光谱具有高灵敏度的主要原因是腔内介质能够获得很长的吸收光程;用中心波长为1.573μm的DFB型可调谐近红外半导体激光器做光源,用两块高反射率平凹透镜(1.573μm附近,反射率约99.4%,凹面曲率半径为1 m)组成的光学谐振腔做吸收池,采用同时扫描激光和谐振腔的方法,在34 cm长的吸收池内测得了CO2分子在1.573μm附近的弱吸收谱线,探测灵敏度达1.66×10-5cm-1.实验结果表明,腔增强吸收光谱具有灵敏度高、分辨率高、实验装置简单、易于操作等优点.
裴世鑫高晓明崔芬萍黄伟杨颙邵杰黄腾赵卫雄张为俊
关键词:光谱学腔增强吸收光谱
基于受激布里渊散射光学发生器和放大器的理论分析被引量:2
2002年
本文在受激布里渊散射基础上,对其光学参量发生器和放大器的特点进行了理论研究,同时分析了相位 失配量在相应参量过程中对相位共轭光反射效率、泵浦阈值功率以及放大倍数的影响.这为进一步利用放大器提高 相位共轭提供了理论参考,具有一定指导意义.
苏红张为俊王世兴葛传文邵杰杨颙汪震聂劲松
关键词:受激布里渊散射相位共轭
N(^4S)+CH3X(X=Cl、Br)反应机理的理论研究被引量:1
2005年
利用abinitio方法对N(4S)+CH3X(X=Cl、Br)反应进行了理论研究,在MP2/6311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、过渡态和产物的几何构型和谐振频率,在MP2/6311++G(3df,2p)和QCISD(T)/6311+G(d,p)水平上进行单点能计算,并用G2MP2方法计算了所有物种的能量.计算结果表明,反应存在三条反应通道:H抽提反应通道a、Cl或Br抽提反应通道b和替代反应通道c.对于N(4S)+CH3Cl反应,a反应通道是主反应通道,b和c反应通道在反应中有少量贡献.对于N(4S)+CH3Br反应,a反应通道是主反应通道,b和c反应通道在反应中有一定的贡献.
杨颙张为俊裴世鑫邵杰黄伟高晓明
关键词:卤代甲烷从头计算法反应机理过渡态
基于扫描激光的腔增强吸收光谱研究被引量:7
2004年
介绍了一种建立在半导体激光扫描基础上的腔增强吸收光谱技术。简要介绍了从衰荡吸收光谱技术向腔增强吸收光谱的发展及腔增强吸收光谱的实验装置,实验证明能够将 DFB 型半导体激光与高精密光学谐振腔相结合,用简单的实验装置进行高灵敏、高分辨直接吸收光谱测量。实验中,激光器的输出波长用一台波长计精确测量,当激光器的输出频率与某一腔模的频率共振时,激光被耦合到一个用两块高反射率平凹透镜(在 1.572μm 附近,R^0.994)组成的 34cm 长的高精密光学谐振腔,通过测量激光透过谐振腔后的光强,得到了二氧化碳分子在6358.654cm-1附近的吸收光谱,探测灵敏度达到了 1.2×10-5cm-1。
裴世鑫高晓明崔芬萍黄伟杨颙邵杰樊宏张为俊
关键词:光谱学腔增强吸收光谱
SiH3+O(^3P)反应机理的理论研究被引量:2
2005年
利用abinitio方法对SiH3+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6-311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,并在QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明,SiH3+O(3P)→IM1→TS3→IM2→TS8→HOSi+H2为主反应通道,其他可能存在的次要产物有HSiOH+H、H2SiO+H和HSiO+H2.HOSi、HSiO和HSiOH(cis)还可能进一步解离生成SiO.另外,计算结果对SiH4+O(3P)反应机理中存在的争议给出了可能的解释,认为Withnall等人在实验中观察到的产物HSiOH、H2SiO和SiO并不是SiH4+O(3P)反应的直接产物,而是来自副反应SiH3+O(3P).
杨颙张为俊高晓明裴世鑫邵杰黄伟屈军刘安玲
关键词:从头计算法O(^3P)过渡态
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