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杨雯

作品数：164 被引量：69H指数：5
供职机构：云南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金云南省高校科技创新团队支持计划资助项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 129篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 23篇理学
  • 15篇电子电信
  • 15篇电气工程
  • 15篇一般工业技术
  • 5篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 40篇量子
  • 38篇量子点
  • 36篇电池
  • 33篇太阳电池
  • 19篇硅量子点
  • 18篇探测器
  • 18篇溅射
  • 16篇电极
  • 13篇纳米
  • 13篇光学
  • 12篇光谱
  • 12篇SUB
  • 12篇磁控
  • 11篇光电
  • 11篇光纤
  • 10篇硅基
  • 9篇载流子
  • 9篇光探测
  • 9篇光探测器
  • 9篇硅基薄膜

机构

  • 163篇云南师范大学
  • 9篇教育部
  • 5篇托莱多大学
  • 5篇四川文理学院
  • 4篇楚雄师范学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇攀枝花学院
  • 1篇云南民族大学
  • 1篇云南省科学技...

作者

  • 164篇杨雯
  • 162篇杨培志
  • 42篇段良飞
  • 37篇李学铭
  • 25篇邓书康
  • 25篇张力元
  • 15篇莫镜辉
  • 15篇陈小波
  • 14篇涂晔
  • 13篇彭柳军
  • 9篇赵恒利
  • 8篇邓双
  • 6篇刘黎明
  • 6篇袁岳
  • 6篇廖承菌
  • 6篇冯小波
  • 6篇王前进
  • 5篇吴绍华
  • 5篇郝瑞亭
  • 5篇袁俊宝

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 5篇光谱学与光谱...
  • 4篇光学学报
  • 3篇光电子．激光
  • 3篇太阳能学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇云南师范大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 18篇2024
  • 19篇2023
  • 18篇2022
  • 16篇2021
  • 9篇2020
  • 9篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2017
  • 10篇2016
  • 17篇2015
  • 14篇2014
  • 12篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2006
共 164 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型太阳能窗帘
本实用新型公开了一种新型太阳能窗帘，包括硬质帘体、柔质帘体、高效柔性薄膜太阳电池、帘体内置电路、控制系统。所述高效柔性薄膜太阳电池与硬质帘体之间通过纽扣电极与电极卡槽连接，卡槽与帘体内置电路连通。电能通过帘体内置电路输送...
杨启鸣杨雯杨培志陈小波段良飞
文献传递
基于掺硼硅量子点的气体流速探测器及系统
本发明涉及基于掺硼硅量子点的气体流速探测器及系统，具体而言，涉及一种气体测量领域。当对气体流速进行测量的时候，由于探测部中的石墨烯层的导电特性与该石墨烯层的掺硼硅量子点的量有关，第一开口进入的气体经过第三开口携带掺硼硅量...
杨培志申开远杨雯马春阳李佳保
脉冲溅射功率对含硅量子点SiC_x薄膜的结构和光学特性的影响被引量：1
2017年
采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiC_x薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征.研究了脉冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量、尺寸、晶化率和薄膜光学带隙的影响.结果表明:当溅射功率从70 W增至100 W时,硅量子点数量增多,尺寸增至5.33nm,晶化率增至68.67%,而光学带隙则减至1.62eV;随着溅射功率进一步增至110 W时,硅量子点数量减少,尺寸减至5.12nm,晶化率降至55.13%,而光学带隙却增至2.23eV.在本实验条件下,最佳溅射功率为100 W.
赵飞赵飞杨雯张志恒莫镜辉
关键词：硅量子点
一种二维二硫化钼薄膜的制备方法
本发明提供了一种二维二硫化钼薄膜的制备方法，属于无机材料制备技术领域。本发明的衬底的材质为蓝宝石(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)或铝酸镧(LaAlO<Sub>3</Sub>)，蓝宝石和铝酸镧中的...
杨培志马春阳杨雯莫镜辉李赛杨德威
文献传递
溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响被引量：4
2013年
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92～2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。
化麒麟杨培志杨雯付蕊邓双彭柳军
关键词：溅射气压透过率
溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响被引量：2
2014年
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气（O2）和氩气（Ar）的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比（O2/Ar）为30∶80的气氛条件下,在60~90 W的溅射功率范围内可获得〈111〉取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙（Eg）在2.15~2.53 eV之间变化。
自兴发杨雯杨培志彭柳军邓双宋肇宁
关键词：溅射功率表面粗糙度光学带隙
一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法
本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α-Si）薄膜和Al膜，利用光热退火炉在N<Sub>2</Sub>气氛下150℃~200℃退火，...
杨雯段良飞张力元杨培志自兴发冷天玖
文献传递
一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法
本发明涉及一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法，具体而言就是将磁控溅射沉积的富硅硅化物薄膜置于微波退火炉中较低温度退火制备出均匀的硅量子点薄膜。该方法采用可靠的磁控共溅射和微波退火技术，可控性好、可重复性高、简易而有效、可...
杨雯陈小波杨培志袁俊宝段良飞李学铭
文献传递
微波退火对原子层沉积TiO2薄膜性能的影响
2020年
采用原子层沉积(ALD)技术,以四氯化钛和水为前驱体,在钠钙玻璃衬底上沉积TiO2薄膜,并进行微波退火处理。通过拉曼光谱、紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等,对不同微波退火温度下TiO2薄膜的表面形貌、物相结构和光学性能进行了表征。结果表明,所制备的样品为锐钛矿型TiO2薄膜,微波退火温度达到500℃时晶粒尺寸最大,为21.71 nm。其拉曼光谱的144 cm-1峰位没有发生偏移,但强度略有变化。随着微波退火温度的升高,TiO2薄膜的透过率先下降后升高,折射率和消光系数则先增加后下降。拟合得到的TiO2薄膜的禁带宽度从3.43 eV降到3.17 eV。通过AFM观察到微波退火促进了原子重新排列,改善了表面粗糙度,形成了均匀的锐钛矿型TiO2薄膜。
杨德威李赛杨雯杜凯翔马春阳葛文杨培志
关键词：表面形貌消光系数
一种基于光纤的压力探测装置
本发明涉及压力探测领域，具体涉及一种基于光纤的压力探测装置，本发明提供了一种基于光纤的压力探测装置。本发明包括光纤纤芯、光纤包层、受力部、光弹性材料部、衬底部。应用时，受力部压缩光弹性材料部，改变光弹性材料部的折射率，即...
杨雯杨培志邓书康葛文王琴周启航
文献传递
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