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杨金凤: 作品数：27 被引量：20H指数：3; 供职机构：河南工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”河南省科技攻关计划更多>>; 相关领域：理学化学工程医药卫生更多>>

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一种低电压独立加压式电光Q开关: 本发明提供了一种低电压独立加压式电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由铌酸锂或者钽酸锂晶体按照一定的设计切型制成的一种电光Q开关器件，用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。本发明的电光Q开关能...; 商继芳孙军杨金凤周娅玲郝好山; 文献传递

高温下锂离子在低掺镁铌酸锂晶体中的扩散（英文）被引量：3: 2017年; 研究了高温富锂气氛下锂离子在低掺镁铌酸锂晶体中的扩散。采用气相输运平衡法制备了掺杂1mol%MgO的不同锂含量的铌酸锂(Mg1LN)晶体,采用热分析仪测试了晶体的居里温度。制备了一系列不同锂含量的Mg1LN多晶料,拟合了晶体锂含量与居里温度的关系。采用Boltzmann-Matano法求解了扩散方程。结果表明,扩散温度为1100℃时,Mg1LN晶体中锂离子扩散系数为3.2×10^(-9)~13.0×10^(-9)cm^2/s,当扩散温度为1145℃时锂离子扩散系数约是1100℃时扩散系数的三倍。因此,适当提高扩散温度是提高气相输运平衡法制备近化学计量比低掺镁铌酸锂晶体效率的有效办法.; 李清连孙军商继芳杨金凤张玲许京军; 关键词：铌酸锂居里温度

一种具有磁保鲜盒的磁保鲜储物箱和制冷设备: 本实用新型公开了制冷技术领域的一种具有磁保鲜盒的磁保鲜储物箱和制冷设备，包括本体，所述本体的内腔呈上下等间距均匀设有三组磁保鲜盒，三组所述磁保鲜盒相互之间安装有隔板，所述第一从动锥齿轮内腔竖向插接有第一传动轴，所述第一传...; 毛乾辉耿晓东杨金凤; 文献传递

一种判别铌酸锂晶体X轴正负向的方法: 本发明提供了一种判别铌酸锂晶体X轴正负向的方法，步骤如下：（1）首先利用压电法标定出待测铌酸锂晶体Z轴的正负，然后对Z面进行粗略抛光；（2）将待测铌酸锂晶体置于锥光干涉光路中，待测铌酸锂晶体的X轴和Y轴分别沿水平和竖直方...; 商继芳郝好山杨金凤陈铃苏丽霞; 文献传递

一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上...; 孙军许京军李威杨金凤张玲孔勇发张华

一种低电压独立加压式电光Q开关: 本发明提供了一种低电压独立加压式电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由铌酸锂或者钽酸锂晶体按照一定的设计切型制成的一种电光Q开关器件，用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。本发明的电光Q开关能...; 商继芳孙军杨金凤周娅玲郝好山

新型储氧材料的研制与应用: 郝好山程永光赵利敏杨金凤毛乾辉王娇刘少辉; 该项目围绕高纯气体等领域用高性能吸附剂材料，研制出了氧吸附量大、氧吸附/脱附速率快、操作温度低、循环稳定性高的新型陶瓷氧吸附剂材料。在国内外首次同时解决了陶瓷氧吸附材料存在的操作温度高，耗能量较大和氧脱附速率相对较慢，产...; 关键词：; 关键词：储氧材料纯化工艺吸附剂

一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法，包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上...; 孙军许京军李威杨金凤张玲孔勇发张华; 文献传递

一种高低温锥光干涉测量装置及方法: 本发明提供了一种高低温锥光干涉测量装置及方法，包括使一束可见波段的激光依次通过置于高低温试验箱中的两个45°放置的平面反射镜、起偏镜、毛玻璃、待测晶体、检偏镜，然后经观察窗口射出后用透射光屏接收透射光点和锥光干涉图样。利...; 商继芳杨金凤郝好山周以琳苏丽霞; 文献传递

名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究: 2022年; 铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响。本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量。结果表明,CLN晶体内偏置场最高(E_(int)=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration,VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5%(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7%(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一。最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析。; 吴婧李清连张中正杨金凤杨金凤李佳欣刘士国刘士国孙军; 关键词：铌酸锂晶体掺杂本征缺陷