您的位置： 专家智库 > >

李鹏程

作品数：19 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 11篇半导体
  • 7篇功率器件
  • 6篇电阻
  • 6篇MOSFET...
  • 5篇导通
  • 5篇导通电阻
  • 5篇半导体功率器...
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体器件
  • 4篇比导通电阻
  • 4篇LDMOS器...
  • 3篇深槽
  • 2篇导电类型
  • 2篇电场
  • 2篇淀积
  • 2篇天线
  • 2篇通信
  • 2篇退火
  • 2篇漂移

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇李鹏程
  • 12篇张波
  • 12篇罗小蓉
  • 12篇魏杰
  • 6篇周坤
  • 4篇尹超
  • 3篇徐青
  • 3篇杨超
  • 3篇张彦辉
  • 2篇罗尹春
  • 2篇刘建平
  • 2篇范远航
  • 2篇徐菁
  • 1篇易翔
  • 1篇聂在平
  • 1篇赵志钦
  • 1篇刘娜
  • 1篇张毅
  • 1篇潘锦
  • 1篇严炜

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 9篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
钛基多主元合金贮氢性能及其影响机制研究
随着人类社会的发展,人类对于能源的需求日渐增长,而化石燃料的大量使用造成了各种各样的环境问题。开发新型高能量密度的清洁能源替代化石能源是缓解能源短缺与环境污染的重要手段之一。氢能作为一种清洁、高能量密度的能源正在日益受到...
李鹏程
关键词：钛基合金贮氢材料
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
文献传递
MIMO通信应用中的天线技术与理论研究
与当前主流的移动通信标准(2G/3G)相比,未来的移动通信系统能够提供更广阔的智能畅享体验。未来的移动通信可以跨越不同的频带,也可以在任何地方用宽带接入互联网(包括卫星通信和平流层通信),并且能够提供定位定时、数据采集、...
李鹏程
关键词：移动通信
基于循环神经网络氢燃料电池寿命预测技术
对氢燃料电池的剩余使用寿命做出精准的预测，是燃料电池研究领域的一个重要方向，这对燃料电池的商业化推广具有很大的意义。目前针对氢燃料电池RUL（Remaining Useful Life）的预测，国内外研究采取的方法主要可...
李鹏程
关键词：氢燃料电池循环神经网络
文献传递
具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件
一种具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的基础上，通过将普通槽栅延伸至漏端，形成U型延伸栅，并在有源层中引入介质槽，介质槽中填充材料的介电系数低于有源层的介电系...
罗小蓉田瑞超徐菁石先龙李鹏程魏杰张波
文献传递
一种槽型积累层MOSFET器件
一种槽型积累层MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在纵向MOSFET器件的源漏之间的漂移区中引入介质槽，槽内填充介电常数较小的介质材料；介质槽被第二导电类型重掺杂栅端欧姆接触区、第二导电类型高阻区、第一导...
罗小蓉李鹏程田瑞超石先龙罗尹春周坤魏杰张波
文献传递
一种横向SOI功率LDMOS器件
一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导...
罗小蓉田瑞超魏杰李鹏程徐青石先龙尹超张波
文献传递
电导增强型高压功率器件研究
实现高耐压（BV）和低比导通电阻（Ron,sp）是功率器件设计的关键目标和研究方向，但是，功率MOS的耐压和比导通电阻之间存在着相互制约的Ron,sp∞BV2.5关系，即“硅极限”。　　为了突破“硅极限”，同时克服常规场...
李鹏程
关键词：比导通电阻高压功率器件
文献传递
一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件
一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOI LDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结来减小泄漏电流。延...
罗小蓉李鹏程田瑞超徐青张彦辉魏杰石先龙张波
文献传递
一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案，与传统与固定电位连接的金属场板(如栅场板、漏场板以及源场板)相比，一方面，自偏置场板能削弱常规金属场板末端的电场尖峰，进一步...
罗小蓉魏杰熊佳云李鹏程杨超石先龙张波李肇基
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0