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李桂英

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇发光
  • 5篇GAP
  • 3篇磷化镓
  • 3篇LPE
  • 2篇位错
  • 2篇位错密度
  • 2篇二极管
  • 2篇发光二极管
  • 1篇单晶
  • 1篇载流子
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓材料
  • 1篇势垒
  • 1篇绿色LED
  • 1篇绿色发光
  • 1篇绿色发光二极...
  • 1篇结构优化
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇厚度

机构

  • 6篇北京师范大学
  • 4篇中国科学院

作者

  • 6篇李桂英
  • 4篇杨锡震
  • 3篇王亚非
  • 2篇孙寅官
  • 2篇李永良
  • 1篇刘荣寰
  • 1篇赵普琴
  • 1篇桑丽华

传媒

  • 2篇发光学报
  • 2篇稀有金属
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇第六届全国L...

年份

  • 1篇2001
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
1997年
ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...
李桂英杨锡震孙寅官王亚非
关键词：位错磷化镓单晶
GaP:N LED p型层厚度的优化
1999年
实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率．综合考虑这两方面的影响，选取有关参数。
李桂英杨锡震王亚非李永良赵普琴孙寅官
关键词：结构优化发光二极管磷化镓厚度
绿色LED用GaP材料LPE艺的改进
李桂英王亚非李永良扬锡震桑丽华孙寅官
关键词：砷化镓材料绿色发光二极管
GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响
1999年
用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随ＬＰＥ层的ＮＤ降低而升高，降低衬底的ＮＤ可降低ＬＰＥ层的ＮＤ．
李桂英李永良王亚非杨锡震杨锡震
关键词：位错密度LPE磷化镓
GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
1999年
阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法， 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
李桂英刘荣寰杨锡震王亚非桑丽华
关键词：载流子发光效率
p^+-n^--n结的势垒分布被引量：1
2001年
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
赵普琴杨锡震李桂英王亚非
关键词：发光二级管势垒P-N结
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