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李果

作品数：11 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇晶体管
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇半导体器件
  • 2篇导电类型
  • 2篇电阻
  • 2篇双极型
  • 2篇漂移
  • 2篇功率
  • 2篇功率器件
  • 2篇发射区
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇低导通电阻
  • 1篇电导
  • 1篇电流放大
  • 1篇电流放大系数
  • 1篇电流集边效应
  • 1篇电势

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇李果
  • 7篇李泽宏
  • 6篇任敏
  • 6篇张金平
  • 5篇张波
  • 5篇张鹏
  • 4篇宋询奕
  • 4篇吴明进
  • 2篇曾智
  • 2篇张蒙
  • 2篇王娜
  • 2篇邓光敏
  • 1篇宋洵奕
  • 1篇夏小军
  • 1篇宋文龙
  • 1篇刘建

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超结功率器件终端结构
一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终...
任敏李果宋询奕张鹏王娜邓光敏夏小军张蒙李泽宏张金平张波
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功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法
器件的可靠性一直是功率电力电子器件设计的一个核心问题.功率MOSFET的UIS(非钳位感性开关)特性是衡量其可靠性的重要指标.本文系统论述了功率MOSFET器件UIS能力的测试原理、器件失效机制、影响UIS能力的因素,并...
李果任敏李泽宏张金平
关键词：可靠性评估
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一种逆导型IGBT器件
一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-b...
任敏宋询奕李果顾鸿鸣张鹏吴明进曾智李泽宏张金平张波
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无线抄表系统的设计与实现
无线抄表是利用无线网络技术和通信技术自动读取和处理仪表数据的一种手段,提高了自动化水平,是网络技术和通信技术迅速发展的必然。它缓解了抄表人员的劳动力度,使人们疏忽造成的抄表错误减少,而且具有抄收速度快,抄表实时性好等优点...
李果
关键词：无线抄表ZIGBEE技术采集器终端节点
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可编程线性电源控制电路与功率电路的设计
随着社会各行各业电气化的高速发展和非线性负载的广泛应用,电能质量所带来的问题日益严重。灾难性的电能质量问题往往会对国防军工和企业生产造成难以挽回的经济损失。同时,越来越多的用电设备对供电质量提出了更为苛刻的要求。本文所设...
李果
关键词：线性电源功率放大器
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一种功率双极型晶体管及其制备方法
一种功率双极型晶体管及其制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面...
任敏李果宋洵奕张鹏王娜邓光敏张蒙李泽宏张金平张波
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一种超结功率器件及其制造方法
本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二...
任敏李果宋询奕顾鸿鸣吴明进张鹏曾智李泽宏张金平张波
文献传递
一种绝缘栅双极型半导体器件
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种...
李泽宏邹有彪宋文龙李果刘建吴明进
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四川移动新闻信息聚合平台项目进度与风险管理研究
四川移动新闻信息聚合平台项目是四川移动公司在通信市场获得进一步发展的重要信息化平台支撑项目，项目的研发技术难度高、周期长、成本高，进度管理工作难度大，本文以四川移动新闻信息聚合平台项目为研究对象，通过分析和探讨项目进度管...
李果
关键词：进度管理风险管理
具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT
具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结...
任敏宋询奕李果杨珏林张鹏吴明进顾鸿鸣李泽宏张金平张波
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