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李惠军

作品数：19 被引量：13H指数：3
供职机构：山东工业大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇微电子
  • 7篇计算机
  • 6篇电路
  • 5篇集成电路
  • 5篇计算机模拟
  • 5篇CAD
  • 3篇栅氧化
  • 3篇PMOS
  • 3篇CAD系统
  • 3篇场效应
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化工艺
  • 2篇助教
  • 2篇微电子工艺
  • 2篇微电子技术
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇计算机辅助教...
  • 2篇教学
  • 2篇辅助教学
  • 2篇CAD技术

机构

  • 13篇山东工业大学
  • 5篇山东大学

作者

  • 18篇李惠军
  • 2篇张新
  • 2篇陈惠凯
  • 1篇刘乃英
  • 1篇张新
  • 1篇郝修田
  • 1篇王凤英
  • 1篇刘运臣
  • 1篇张俊

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 5篇山东科学
  • 3篇半导体情报
  • 2篇山东工业大学...

年份

  • 2篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1996
  • 4篇1995
  • 5篇1994
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
OS界面杂质分凝的计算机辅助分析
1999年
研究了绝缘栅栅氧化过程中的杂质分凝效应。
李惠军张新
关键词：计算机辅助分析MOS器件
集成运放纵向NPN－PC－SUPREM全参数模拟输入解析被引量：1
1995年
尝试一种简要直观、图文并茂的文体方式向读者介绍ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的输入卡撰写规则，为了全面反映ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的模拟功能，选取了有代表性的集成运算放大器的平面工艺为模拟分析对象。模拟了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ所能模拟的全部多数，进行双极型集成工艺全工序、全参数的模拟，该输入文本不仅充分地反映了工艺模拟输入卡的撰写方法与原则，且具有可操作性，读者完全可以据此举一反三，设计出不同的模拟方案。
李惠军刘晓健
关键词：集成电路
微电子工艺CAD系统SUPREM－Ⅱ的模拟精度被引量：2
1994年
模拟精度是ＣＡＤ系统设计者首先考虑的问题。文中向读者提供了在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ模拟系统中，提高模拟精度的较科学的实验方法。
李惠军刘晓建
关键词：CAD微电子工艺
集成电路工艺仿真系统TSUPREM-Ⅳ被引量：3
2000年
SUPREM系列集成电路工艺模拟系统是当今国际上用户群最大的集成电路工艺计算机辅助设计系统。本文介绍该系列系统的最新版本 TSUPREM-Ⅳ。
李惠军
关键词：集成电路计算机模拟
微电子领域工艺、器件、电路、CAD技术
1994年
本文较全面地介绍了微电子工艺模拟、半导体器件模拟。
李惠军陈勇
关键词：微电子CAD
MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压V_T动态调制的计算机模拟被引量：3
1996年
使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象［１］相一致的结果，作者进一步提出：以调节栅氧化步序来抑制分凝效应，从而减少二氧化硅－畦界面硅一侧的施主杂质堆积，则可起到调节ＭＯＳ结构能带状态、调节ＭＯＳ结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。
李惠军马瑞芬张宝财刘乃英
关键词：场效应阈值电压CAD
PC WINDOWS一维硅微电子集成工艺及器件CAD和CAI交互系统
1998年
微电子ＣＡＤ（计算机辅助设计）和ＣＡＩ（计算机辅助教学）ＦＯＲＷＩＮＤＯＷＳＰＣ交互系统的开发成功，对微电子ＣＡＤ技术的推广应用及高等学校的教学应用等各方面有着极其重要的作用，本文介绍了该系统开发思路、功能结构、科研与教学的应用情况。
李惠军
关键词：微电子技术计算机辅助教学
CAD技术在微电子工艺设计及器件特性分析中的应用被引量：2
1998年
集成电路工艺及器件特性计算机辅助设计系统是微电子ＣＡＤ系统的重要组成部分。本文介绍了该系统在集成电路工艺设计及器件设计中的部分应用。
李惠军王凤英
关键词：集成电路计算机辅助设计
LY732－PMOSFET电场效应过程的计算机模拟被引量：6
1994年
本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压（ＶＣＳ）与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程．
李惠军马瑞芬张保财
关键词：阈值计算机模拟半导体器件
PECVD氯化硅介质膜Si／N比值的工艺监控
1995年
本文介绍了作者在微电子工艺ＰＥＣＶＤ氮化硅制备过程中对其Ｓｉ／Ｎ比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法．
李惠军龙莹山武广栋
关键词：钝化工艺氮化硅PECVD
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