李园园
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- KH550修饰Al_2O_3及其对PI/Al_2O_3薄膜性能的影响
- 2014年
- 通过调整KH550的含量对Al2O3粉体表面进行改性,并用红外光谱(FT-IR)和X射线衍射(XRD)对改性后的粉体进行表征,表征结果显示KH550成功的键合到Al2O3粉体表面。然后分别使用Al2O3以及改性Al2O3制备了一系列无机粉体含量为16%(质量分数)的PI复合薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)对复合薄膜的断面微观形貌进行表征,并对复合薄膜的力学性能和击穿场强进行测试。测试结果显示KH550的含量对无机粉体分散情况有较大影响。当KH550含量为2%(质量分数)时,PI/KH550-Al2O3复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率最优,分别为130 MPa,12%,与PI/Al2O3薄膜相比,拉伸强度和断裂伸长率分别提高了22.8%,44.5%,击穿场强与其相近。
- 刘立柱李园园翁凌丁军崔巍魏
- 关键词：PIAL2O3力学性能
- 微量SiO_2对PI/Al_2O_3复合薄膜性能的影响被引量：3
- 2014年
- 通过固定纳米氧化铝(Al2O3)的含量,改变纳米氧化硅(SiO2)的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺(PI)/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。
- 李园园刘立柱翁凌石慧金镇镐王诚
- 关键词：聚酰亚胺纳米AL2O3纳米SIO2
- 微量SiO2对PI/Al2O3复合薄膜性能的影响
- 近年来，电力电子技术飞速发展，高节能性的变频电机应运而生，因此耐电晕老化性能优异的绝缘材料被国内外的研究专家广泛关注。聚合物/纳米复合材料逐渐进入研究者们的视线，为新型绝缘材料的研究制备提供了新的方向。目前，研究者们大多...
- 李园园
- 关键词：聚酰亚胺原位聚合法疏水性
- 文献传递
