朱会丽
- 作品数：4 被引量：11H指数：3
- 供职机构：河南大学物理与电子学院光学与光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 多孔硅的发光机制与光学三阶非线性研究
- 该文主要研究了均匀多孔硅的制备,多孔硅的光致发光机制以及多孔硅的光学三阶非线性,其主要内容分为五章.第一章介绍了多孔硅的研究背景、研究意义、研究历史以及制备方法和形成机制,并且介绍了几种较有影响力的发光机制模型.第二章主...
- 朱会丽
- 关键词：多孔硅量子限域效应三阶非线性光学
- 文献传递
- 多孔硅拉曼光谱随激发功率变化的研究被引量：5
- 2005年
- 用阳极氧化法新制备了多孔硅样品,以457.5 nm固体激光器为激发光源,在不同激发功率下,获得了拉曼谱图和一些谱峰参量随激光功率的变化关系。解释了520 cm-1和300 cm-1附近拉曼峰随功率变化的一系列可逆的实验现象:随激光功率升高出现的红移和非对称性展宽,主要是由于样品局域平均粒径变小而受量子限域效应的影响导致的;样品局域平均粒径在表面上的二维减小与随激光功率升高而导致的局域温升并不违背基本的热力学定律;高功率时520 cm-1附近双峰的出现是由于多孔硅样品局域平均粒径达到一定阈值而导致的纵模和横模双声子模的分裂。
- 白莹兰燕娜朱会丽莫育俊
- 关键词：光谱学多孔硅拉曼光谱激光功率光学声子
- 电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅被引量：3
- 2006年
- 采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位有明显.的蓝移现象.同时我们还发现多孔硅样品的尺寸越小其能带越宽,由此得出多孔硅样品的发光现象符合量子限域解释的多孔硅的发光机制.
- 朱会丽尹延锋兰燕娜莫育俊
- 关键词：多孔硅荧光电镜
- 多孔硅在30～180℃温区光致发光谱的研究被引量：4
- 2004年
- 对长期存放在空气中的多孔硅样品和即时制备的多孔硅样品分别在室温～180℃下进行了光致发光(PL)温度效应的研究.两类样品的PL呈现不同的变化规律.前者的PL还表现为双峰,且长波PL峰随温度升高蓝移;后者的PL表现为单峰,且PL峰位随温度升高红移.基于量子限制效应对后者进行了解释;而前者难以用分立的量子限制和表面发光中心模型来解释,实验结果表明两种机制之间可能有较复杂的耦合效应发生.
- 兰燕娜杜银霄朱会丽董华高影莫育俊
- 关键词：多孔硅光致发光
