朱会丽
- 作品数：15 被引量：18H指数：3
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- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法
- 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光...
- 吴正云朱会丽陈厦平张峰
- 文献传递
- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法
- 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测...
- 吴正云朱会丽陈厦平
- 文献传递
- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法
- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测...
- 吴正云朱会丽陈厦平
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- 纤锌矿结构ZnO(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面稳定几何及电子结构性质被引量：1
- 2015年
- 采用超高真空分子束外延和扫描隧道显微(STM)技术,对纤锌矿结构ZnO单晶(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面进行了STM形貌扫描和扫描隧道谱(STS)测量.STM表征结果显示,(0001)-Zn极性表面形成了以单层高度交替出现的直线型和锯齿型台面的大表面纳米稳定结构,还通过形成(3×3)再构表面来稳定其表面.而(000-1)-O极性表面则形成了双层高度台面的表面稳定结构.STS测量结果表明,(0001)-Zn极性表面内部偶极矩方向指向表面,而(000-1)-O极性表面内部偶极矩方向指向材料内部,导致两种极性表面能带的弯曲方向不同,最终引起两者导带底EC和价带顶EV能量位置的偏移.(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面I-V和dI-dV曲线的偏移体现了两种表面的不同极性和电子结构性质.
- 周昌杰吴雅苹陈晓航周颖慧朱会丽康俊勇
- 关键词：ZNO偶极矩
- 分离吸收层与倍增层结构的低压4H-SiC雪崩光电探测器及其p型欧姆接触的研究
- 紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域,它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等...
- 朱会丽
- 关键词：4H-SIC雪崩光电探测器
- 文献传递
- 4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究
- 2010年
- 基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据。
- 陈厦平朱会丽
- 关键词：4H-SIC
- 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法
- 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光...
- 吴正云朱会丽陈厦平张峰
- 文献传递
- 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法
- 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n<sup>+</sup>型...
- 吴正云张峰朱会丽
- 文献传递
- 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法
- 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n<Sup>+</Sup>型4H－SiC衬底，在n<...
- 吴正云张峰朱会丽
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- 多层InA s量子点的光致发光研究被引量：3
- 2005年
- 采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6 meV,并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAs盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。
- 孔令民蔡加法陈厦平朱会丽吴正云牛智川
- 关键词：光致发光时间分辨谱
