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磁控溅射制备Zr膜的应力研究被引量：2: 2012年; 为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。; 曹鸿张传军王善力褚君浩; 关键词：自支撑应力磁控溅射

不同衬底和CdCl_2退火对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：2: 2013年; 在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射CdS薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射CdS薄膜的形貌不同,退火后相应CdS薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大.XRD衍射图谱表明:不同衬底原位溅射和退火CdS薄膜均为六角相和立方相的混相结构,退火前后科宁7059玻璃,FTO,AZO衬底上CdS薄膜有H(002)/C(111)最强衍射峰,ITO衬底原位溅射CdS薄膜没有明显的最强衍射峰,退火后出现H(002)/(111)最强衍射峰.紫外-可见分光光度计分析表明:AZO,FTO,ITO,科宁7059玻璃衬底CdS薄膜的可见光平均透过率依次减小,退火后相应衬底CdS薄膜的可见光平均透过率增大,光学吸收系数降低;退火显著增大了不同衬底CdS薄膜的光学带隙.分析得出:上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对CdS多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的结果.; 张传军邬云骅曹鸿高艳卿赵守仁王善力褚君浩; 关键词：CDS薄膜磁控溅射

不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：3: 2013年; 采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备CdS薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大;在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出:上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.; 张传军邬云骅曹鸿赵守仁王善力褚君浩; 关键词：CDS薄膜磁控溅射热退火再结晶

渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池光电转换效率的数值模拟被引量：1: 2010年; Cd_(1-x)Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率。用渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池的光电响应特性。经计算,该电池在理想情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%。; 曹鸿江锦春胡古今褚君浩; 关键词：太阳电池光电转换效率

聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究被引量：1: 2012年; 为了研究静置时间、液面下降速度对聚苯乙烯(C8H8)滤光膜厚度和均匀性的影响,采用浸渍法制备了C8H8滤光膜,通过改变静置时间、液面下降速度,制备了不同的样品。用Vecco Dektak6.0探针轮廓仪测量样品厚度,利用插值法方法,研究了C8H8滤光膜与静置时间、液面下降速度的关系。结果表明,静置时间和液面下降速度对C8H8薄膜厚度和均匀性有很大影响;静置时间越短,液面下降速度越小,浸渍法制备的C8H8滤光膜的均匀性越好。; 曹鸿张传军王善力褚君浩; 关键词：均匀性聚苯乙烯浸渍法

沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响(英文)被引量：1: 2013年; 采用Cd0.96Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45～2.02 eV之间调节的碲锌镉薄膜.; 曹鸿褚君浩王善力邬云骅张传军; 关键词：碲锌镉射频磁控溅射带隙

CdS薄膜的可见和近红外光谱性能研究: 2013年; 在康宁7059玻璃衬底上采用磁控溅射、化学水浴和近空间升华法制备CdS薄膜,在FTO、ITO、AZO衬底上采用磁控溅射法制备CdS薄膜。分别对两组CdS薄膜的形貌、结构和光学性能进行了研究,结果表明:采用不同工艺和衬底条件制备的CdS薄膜具有不同的形貌和结构,并表现出不同的光学性能。对于不同的制备技术,化学水浴法制备的CdS薄膜在520～820nm范围的光谱平均透过率最高,光学带隙最大为2.418eV,磁控溅射法制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。对于不同的衬底条件,在FTO衬底上磁控溅射制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。; 张传军丛家铭邬云骅曹鸿王善力褚君浩; 关键词：CDS薄膜

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曹鸿